多晶硅工艺中英文对照表

多晶硅工艺中英文对照表内容摘要：

（ SiH2Cl2副产品的利用－为 3 级） Dichlorosilane deposition rate—grade 5 （ SiH2Cl2的沉积速率－为 5 级） Dichlorosilane construction methods—grade 5 （ SiH2Cl2的建筑方式－为 5 级） Dichlorosilane reactor choices—grade 3 （ SiH2Cl2的反应炉选择－为 3 级） Dichlorosilane electrical energy usage—grade 5 （ SiH2Cl2的电能利用－为 5 级） Trichlorosilane as a polysilicon feedstock （以 SiHCl3作为多晶硅原料） Trichlorosilane purity—grade 7 for Belljar polysilicon。 grade 5 for FBR polysilicon （ SiHCl3的纯度－对钟罩炉为 7 级，对 FBR 炉为 5 级） 16 Trichlorosilane manufacturing cost—grade 7 （ SiHCl3的制造成本－为 7 级） Trichlorosilane safety—grade 9 （ SiHCl3的的安全性－为 9 级） Trichlorosilane alternative sources—grade 10 （ SiHCl3的可选择来源－为 10 级） Trichlorosilane transportability—grade 9 (SiHCl3的运输－为 9 级 ) Trichlorosilane storage—grade 9 （ SiHCl3的的储存－为 9 级） Trichlorosilane byproducts recovery—grade 9 （ SiHCl3的副产品的回收－为 9 级） Trichlorosilane byproducts use—grade 8 (SiHCl3的副产品的 利用－为 8 级 ) Trichlorosilane deposition rate—grade 7 （ SiHCl3的沉积速率－为 7 级） Trichlorosilane construction methods—grade 5 （ SiHCl3的的建筑方式－为 5 级） Trichlorosilane reactor choices—grade 9 （ SiHCl3反应炉的选择－为 9 级） Trichlorosilane electrical energy usage—grade 4 （ SiHCl3的电能使用 －为 4 级） 17 Silicon tetrachloride as a polysilicon feedstock （以 SiCl4作为多晶硅的原料） Silicon tetrachloride purity—grade 10 （ SiCl4的纯度－为 10 级） Silicon tetrachloride manufacturing cost—grade 7 （ SiCl4的制造成本－为 7 级） Silicon tetrachloride safety—grade 10 （ SiCl4的安全性－为 10 级） Silicon tetrachloride alternative sources—grade 9 going to 3（ SiCl4的可选择来源－为 9～ 3 级） Silicon tetrachloride transportability—grade 9 （ SiCl4的运输－为 9 级） Silicon tetrachloride storage—grade 9 (SiCl4的储存－为 9 级 ) Silicon tetrachloride byproducts recovery—grade 10 （ SiCl4副产品的回收－为 10 级） Silicon tetrachloride byproducts use—grade 9 (SiCl4副产品的利用－为 9 级 ) Silicon tetrachloride deposition rate—grade 4 (SiCl4的沉积速率－为 4 级 ) Silicon tetrachloride construction methods—grade 10 （ SiCl4的建筑方式－为 10 级） 18 Silicon tetrachloride reactor choices—grade 9 （ SiCl4反应炉的选择－为 9 级） Silicon tetrachloride electrical energy usage—grade 1 （ SiCl4电能的使用－为 1 级） Alternate polysilicon reactor selection （备用的多晶硅反应器的选择） Freespace polysilicon reactors（自由空间多晶硅反应器） Polysilicon FBRs（多晶硅沸腾床反应器） Evaluation of semiconductorgade polysilicon （对半导体级多晶硅的评价） Future of polysilicon（未来的多晶硅） References（参考文献） Crystal growth of silicon(单晶生长 ) Liaw Introduction(序 ) Melt growth theory（熔融生长理论） Thermodynamic consideration(热力学考虑 ) Heat balance in crystal growth(单晶生长中的热平衡 ) Crystal growth mechansisms(单晶生长机理 ) Mass transport of impurities(杂质的传递 ) Constitutional supercooling（结晶过冷现象） Practical aspect of Cz crystal growth（ Cz 单晶生长的实践方式） 19 Crystal pullers（拉晶炉） Dislocationfree growth（无位错生长） Growth forms and habits（生长的晶向和结晶特性） Automatic diameter control（自动化的直径控制） Doping techniques（掺杂技术） Variations in radial resistivity（径向电阻率变化） Oxygen and Carbon in silicon（硅中的氧和碳） Techniques for control Oxygen（控氧技术） Control of Carbon contect（碳含量的控制） Novel Czochraski crystal growth Semicontinuous and continuous Cz（半连续和连续 Cz 拉晶） Magic Czochraski (MCz) crystal growth （磁场法 Cz 单晶生长） Square ingot growth （方锭生长） Web and EFG techniques（蹼状硅及 EFG 技术） The FloatZone technique（ Fz生长技术） Trends in silicon crystal growth（硅单晶生长的趋势） Summary and conclusion（简要总结） Reference(参考文献 ) Silicon wafer preparation(硅片制备 ) Richard Introduction(序 ) 20 Wafer preparation processes（硅片制备工艺） Silicon removal principles（硅的清洁处理方法） Mechanical removal（机械处理） Chemical removal（化学处理） ChemicalMechanical removal(polishing) （机械－化学处理）（打磨） Cryctal shaping（单晶整型 ） Cropping（切头尾） Grinding（滚磨） Orientation/Identification flats （定向 /标识定位面） Etching（腐蚀） Wafering（切片） Historical（历史回顾） The ID blade（内园切割） Blade tensioning（切割张力） Process (工艺 ) Crystal mounting（晶体安装） Orientation （定向） Blade condition（切割调整） Wafering variables（切片变量） Edge contouring（倒角，刀口整形） Background（背景） 21 Reasons for Edge contouring（倒角的原因） Silicon chips and wafer breakage （切口破损和硅片破裂） Lattice damage（晶格缺陷） Epitaxial edge crown（外延边缘凸起） Photoresist edge bead（光刻时边缘波纹） Commercial equipment（通用设备） Laping（研磨） Background（背景） Current technology（现有技术） Wafer grinding（硅片研磨） Polishing（抛光） Description of polishing（抛光描述） Historical background（历史背景） Current polishing practice（现有抛光实践） Polishing variables（抛光变量） The optimum polishing process（适宜的抛光工艺） Other methods of polishing（抛光的其它方法） Cleaning（清洗） Mechanical cleaning（机械清洗） Chemical cleaning（化学清洗） Other cleaning methods（其它清洗方法） 22 Equipment（设备） Miscellaneous operations（各色各样操作） Heat treatment（热处理） Backside damage（背损伤） Wafer marking（硅片刻标记） Packaging(包装 ) Inprocess measurements（在线测量） Wafer specifications and industry standards （硅片的特征参数和工业标准） Mechanical measurements（机械测量） Diameter and flat length（直径和定位面长度） Crystallographic orientation（晶向定向） Thickness and thickness variation（厚度和厚度偏差） Flatness（定位面） Bow and warp（弯曲度和翘曲度 0 Edge contour(边缘轮廓 ) Surface inspection（表面检测） Discussion（讨论） Reference（参考文献） 5. Silicon epitaxy(硅外延 ) Rorbet Introduction（序言） 23 Ho。