模拟电子技术基础(第四版)习题解答140p内容摘要:
5ocR R k 3LRk时,静态管压降、电压放大倍数分别为 : ( // ) 2 . 3LC E Q C C C Q c LLcRU V I R R VRR ( // ) 115cLu beRRA r 3 4 .7beu s ub e srAArR // b be beR R r r k 5ocR R k 。 若将 图 所示电路 中的 NPN 管换成 PNP 管,其它参数不变,则为使电路正常放大电源应作如何变化。 Q 点、 uA 、 iR 和 oR 变化吗。 如变化,则如何变化。 若输出电压波形底部失真,则说明电路产生了什么失真,如何消除。 解:由正电源改为负电源; Q点、 uA 、 iR 和 oR 不会变化;输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真,对 PNP 管而言,管子进入截止区,即产生了截止失真;减小 Rb。 24 已知 图 所示电路中,晶体管 β=100, ber =。 (1)现已测得静态管压降 UCEQ=6V,估算 Rb; (2)若测得 iU 和 oU 的有效值分别为 1mV 和 100mV,则负载电阻 RL为多少。 解 : (1) mAR UVI c CECCC 2, AII CB 20/ , ∴ kI UVR B BECCb 565。 (2)由 ( // ) 100o c Lu i b eU R RA Ur , 可 得 : 。 图 在 图 所示电路中 , 设静态时 2CQI mA , 晶体管饱和管压降。 试问:当负载电阻 LR 和 3LRk时 , 电路的最大不失真输出电压各为多少伏。 解: 由于 2CQI mA ,所以 6CE Q CC CQ cU V I R V 。 空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。 故 3 .8 22C E Q C E Som UUUV 3LRk时,当输入信号增大到一定幅值,电 路首先出现截止失真。 故 39。 2 .1 22CQ Lom IRUV 电路如 图 所示,晶体管 β=100, br =100Ω。 (1)求电路的 Q 点、 uA 、 iR 和 oR ; (2)若改用 β=200 的 晶体管 ,则 Q 点如何变化。 (3)若电容 Ce 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化。 如何变化。 25 解: (1)静态分 析: 112 2bB Q C CbbRU V VRR 1B Q B E QEQ feUUI m ARR 101 EQBQ IIA e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V 图 动态分析:39。 26(1 ) 2 . 7 3b e b b EQmVr r kI ( // ) 7 .7(1 )cLu b e fRRA rR 12// // [ (1 ) ] 3. 7i b b be fR R R r R k 5ocR R k (2) β=200 时, 112 2bB Q C CbbRU V VRR (不变); 1B Q B E QEQ feUUI m ARR (不变); 51 EQBQ IIA (减小); e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V (不变)。 (3) Ce开路 时, ( // ) // 1 . 9 2( 1 ) ( )c L c Lu b e e f e fR R R RA r R R R R (减小); 12// // [ ( 1 ) ( ) ] 4. 1i b b be e fR R R r R R k (增大); 5ocR R k (不变)。 电路如 图 所示,晶体管的 β=80, ber =1kΩ。 26 (1)求出 Q 点; (2)分别求出 RL=∞和 RL=3kΩ时电路的 uA 、 iR 和 oR。 解: (1)求解 Q 点: 3 2 .3(1 )C C B E QBQ beVUIARR (1 ) 2. 61E Q B QI I m A 7CE Q CC E Q eU V I R V (2)求解放大倍数和输入、输出电阻: RL=∞时; (1 ) 0 .9 9 6(1 )eu b e eRA rR 图 // [ (1 ) ] 110i b be eR R r R k RL=3kΩ时 ; (1 ) ( // ) 0 . 9 9 2(1 ) ( // )eLu b e e LRRA r R R // [ (1 ) ( // ) ] 76i b be e LR R r R R k 输出电阻: //// 3 71s b b eoe R R rRR 电路如 图 所示,晶体管的 β =60 , 39。 100bbr 。 (1)求解 Q 点、 uA 、 iR 和 oR (2)设 Us = 10mV (有效值),问 ?iU , ?oU 若 C3 开 路,则 ?iU , ?oU 解: (1) Q 点: 31(1 )C C B E QBQ beVUIARR Q BQI I m A 图 27 ( ) 6CE Q CC E Q c eU V I R R V uA 、 iR 和 oR 的分析: 39。 26(1 ) 9 5 2b e b b EQmVrr I , ( // ) 95cLu beRRA r // 952i b beR R r , 3ocR R k 。 (2)设 Us = 10mV (有效值),则 3 .2iissiRU U m VRR ; 304o u iU A U m V 若 C3 开路,则: // [ (1 ) ] b be eR R r R k , // 1 .5cLueRRA R 9 .6iissiRU U m VRR , 14 .4o u iU A U m V 。 改正 图 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。 要求保留电路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 图 28 解: (a)源极加电 阻 RS ; (b)漏极加电阻 RD; (c)输入端加耦合电容; (d)在 Rg 支路 加 −VGG, +VDD 改 为 −VDD 改正电路如解图 所示。 (a) (b) (c) (d) 解图 已 知 图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图 (b)、 (c)所示。 (1)利用图解法求解 Q 点; (2)利用等效电路法求解 uA 、 iR 和 oR。 (a) 29 (b) (c) 图 解: (1)在转移特性中作直线 GS D su i R ,与转移特性的交点即为 Q 点;读出坐标值,得出 1 , 2D Q G SQI mA U V 。 如 解图 (a)所示。 (a) (b) 解图 在输出特性中作直流负载线 ()D S D D D d su V i R R ,与 2GSQUV 的那条输出特性曲线的交点为 Q 点, 3DSQUV。 如 解图 (b)所示。 (2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。 ()2 1/DSDm U D S S D QG S G S o f fig I I m V VuU 5u m dA g R ; 1igR R M ; 5odR R k 已知 图 (a)所示电路中场效应管的转移特性如图 (b)所示。 30 求解电路的 Q 点和 uA。 (a) (b) 图 解: (1)求 Q 点: 根据电路图可知, 3GSQ GGU V V。 从转移特性查得,当 3GSQUV 时的漏极电流: 1DQI mA 因此管压降 5D SQ D D D Q dU V I R V 。 (2)求电压放大倍数: ∵()2 2/m D Q D OG S t hg I I m A VU, ∴ 20u m dA g R 电路如 图 所示。 ( 1) 若输出电压波形底部失真,则可采取哪些措施。 若输出电压波形顶部失真,则可采取哪些措施。 ( 2) 若想增大 uA ,则可采取哪些措施。 解: ( 1) 输出电压波形底部失真,类似于 NPN 型三极管的饱和失真,应降低 Q,故可减小 R2或增大 R RS;若输出电压波形顶部失真,则与上述相反,故可增大 R2或减小 R RS。 ( 2) 若想增大 uA ,就要增大漏极静态电流以增大 mg ,故可增大 R2 或减小 RRS。 图 中的哪些接法可以构成复合管。 标出它们等效管的类型(如 NPN 型、 PNP 型、 N 沟道结型„ „ )及管脚 (b 、 e 、 c 、 d 、 g 、 s )。 31 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 图 解 : (a)不能。 (b)不能。 (c)构成 NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。 (d)不能。 (e)不能。 (f)构成 PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。 (g)构成 NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。 32 第 3 章 多级放大电路 自测题 一 、 现有基本放大电路: 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为 1kΩ至 2kΩ,电压放大倍数大于 3000 ,第一级应采用 ( A ),第二级应采用 ( A )。 (2)要求输入电阻大于 10MΩ,电压放大倍数大于 300 ,第一级应采用 ( D ),第二级应采用 ( A )。 (3)要求输入电阻为 100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于 100 , 第一级应采用 ( B ),第二级应采用 ( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于 10 ,输入电阻大于 10MΩ,输出电阻小于 100Ω,第一级应采用 ( D ),第二级应采用 ( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压 ,且1000ouiiUA I,输出电阻 Ro< 100 ,第一级应采用采用 ( C ), 第二级应 ( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 ( C、 D )。 A.电阻阻值有误差。模拟电子技术基础(第四版)习题解答140p
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