基于单片机的热电偶测温系统设计内容摘要:
C549 的内部框图如图 34 所示。 1 2 3 1 2 3 1 2 3 P0单 片 机 P3 图 34 TLC549 内部框图 TLC549 的工作原理 TLC549 带有片内系统时钟,该时钟与 I/O CLOCK 是独立工作的,无需特殊速度和相位匹配。 当 CS 为高时,数据 DATA OUT 端处于高阻态,此时 I/O CLOCK不起作用。 这种 CS 控制作用允许在同时使用 TLC549 时,共用 I/O CLOCK,以减少 A/D 使用时的 I/O 控制端口。 AT89C51 单片机 AT89C51 是一种带 4K 字节闪烁可编程可擦除只读存储器( FPEROM— Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压,高性能 CMOS8 位微处理器,俗称单片机。 该器件采用 ATMEL 高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的 MCS51 指令集和输出管脚相兼容。 由于将多功能 8 位 CPU 和闪烁存储器组合在单个芯片中, ATMEL 的 AT89C51 是一种高效微控制器,为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案 [17]。 AT89C51 的管脚如图 35所示。 1.主要特性 与 MCS51 兼容 4K 字节可编程闪烁存储器 寿命: 1000 写 /擦循环 数据保留时间: 10年 全静态工作: 0Hz24Hz 三级程序存储器锁定 128*8 位内部 RAM 32 可编程 I/O 线 两个 16 位定时器 /计数器 5 个中断源 可编程串行通道 8 位模数转换器 输出数据寄存器 数据选择器和驱动器 采样保持 内部系统时钟 控制逻辑和输出计算 低功耗的闲置和掉电模式 片内振荡器和时钟电路 图 35 AT89C51 的管脚图 2.管脚说明 VCC:供电电压。 GND:接地。 P0 口 :P0 口为一个 8位漏级开路双向 I/O 口,每脚可吸收 8TTL 门电 流。 当P1 口的管脚第一次写 1 时,被定义为高阻输入。 P0 能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据 /地址的第八位。 在 FIASH 编程时, P0 口作为原码输入口,当 FIASH 进行校验时, P0输出原码,此时 P0外部必须被拉高。 P1 口 :P1 口是一个内部提供上拉电阻的 8 位双向 I/O 口, P1 口缓冲器能接收输出 4TTL 门电流。 P1 口管脚写入 1 后,被内部上拉为高,可用作输入, P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。 在 FLASH编程和校验时, P1 口作为第八位地址接收。 P2 口 :P2 口为一个内部上拉 电阻的 8 位双向 I/O 口, P2 口缓冲器可接收,输出 4个 TTL 门电流,当 P2 口被写“ 1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。 并因此作为输入时, P2 口的管脚被外部拉低,将输出电流。 这是由于内部上拉的缘故。 P2口当用于外部程序存储器或 16 位地址外部数据存储器进行存取时, P2口输出地址的高八位。 在给出地址“ 1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时, P2 口输出其特殊功能寄存器的内容。 P2口在 FLASH 编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。 P3 口 :P3 口管脚是 8个带内部上拉电阻的双向 I/O 口,可接收输出 4 个 TTL门电流。 当 P3 口写入“ 1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。 作为输入,由于外部下拉为低电平, P3 口将输出电流( ILL)这是由于上拉的缘故。 P3 口也可作为 AT89C51 的一些特殊功能口,如下表所示: RXD(串行输入口) TXD(串行输出口) /INT0(外部中断 0) /INT1(外部中断 1) T0(记时器 0外部输入) T1(记时器 1外部输入) /WR(外部数据存储器写选通) /RD(外部数据存储器读选通) P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。 RST:复位输入。 当振荡器复位器件时,要保持 RST脚两个机器周期的高电平时间。 ALE/PROG:当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。 在 FLASH 编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。 在平时, ALE 端以不变的频率周期输出正脉冲信号,此频率为振荡器频率的 1/6。 因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。 然而要注意的是:每当用作外部数据存储器时,将跳过一个 ALE 脉冲。 如想禁止 ALE 的输 出可在 SFR8EH 地址上置 0。 此时 ,ALE只有在执行 MOVX, MOVC 指令是 ALE 才起作用。 另外,该引脚被略微拉高。 如果微处理器在外部执行状态 ALE 禁止,置位无效。 /PSEN:外部程序存储器的选通信号。 在由外部程序存储器取指期间,每个机器周期两次 /PSEN 有效。 但在访问外部数据存储器时,这两次有效的 /PSEN 信号将不出现。 /EA/VPP:当 /EA 保持低电平时,则在此期间外部程序存储器( 0000HFFFFH),不管是否有内部程序存储器。 注意加密方式 1 时, /EA 将内部锁定为 RESET;当/EA 端保持高电平时,此间内部程序存储器。 在 FLASH 编程期间,此引脚也用于施加 12V 编程电源( VPP)。 XTAL1:反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。 XTAL2:来自反向振荡器的输出。 3.振荡器特性 XTAL1 和 XTAL2 分别为反向放大器的输入和输出。 该反向放大器可以配置为片内振荡器 ,石晶振荡和陶瓷振荡均可采用 [17]。 如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2 应不接。 有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器,因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求,但必须保证脉冲的高低 电平要求的宽度。 4.芯片擦除 整个 PEROM 阵列和三个锁定位的电擦除可通过正确的控制信号组合,并保持ALE 管脚处于低电平 10ms 来完成。 在芯片擦操作中,代码阵列全被写“ 1”且在任何非空存储字节被重复编程以前,该操作必须被执行。 此外, AT89C51 设有稳态逻辑,可以在低到零频率的条件下静态逻辑,支持。基于单片机的热电偶测温系统设计
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5P 0 534P 0 633P 0 732P 2 021P 2 122P 2 223P 2 324P 2 425P 2 526P 2 627P 2 728P S E N29A L E / P30T X D11R X D10U1A1B2Q03Q14Q25Q36Q410Q511Q612Q713C L K8MR9C I 1A1B2Q03Q14Q25Q36Q410Q511Q612Q713C L
C接通来实现。 时钟电路设计 图 时钟电路 单片机内部具有一个高增益反相放大器,用于构成振荡器。 通常在引脚 XTALl 和 XTAL2跨接石英晶体和两个补偿电容构成自激振荡器,结构图中 Y C C2。 可以根据情况选择 6MHz、12MHz或 24MHz等频率的石英晶体,补偿电容通常选择 30pF左右的瓷片电容。 3 电子琴硬件设计 键盘电路设计 常用的按键有三种:机械触点式按键
P 1 . 34P 1 . 45P 1 . 56P 1 . 67P 1 . 78R S T9T014T115P S E N29EA31R X D10T X D11I N T 012V ss20V c c40P 0 . 039P 0 . 138P 0 . 237P 0 . 336P 0 . 435P 0 . 534P 0 . 633P 0 . 732P 2 . 021P 2 . 122P 2 .
别被按键的行、列位置。 如图 6): P 1P 2P 3P 4P 5P 6P 7P 8I N T 113R X D10T X D11X T A L 218X T A L 119T014P 21P 22P 23P 24P 25P 26P 27P 28P 32P 33P 34P 35P 36P 37P 38P 39T11589 C 51I N T 012R E S E T9RD17WR16E A /
系统的主程序设计 ............................................................................................. 30 DS18B20 模块程序 ................................................................................