机构名称:贵州航天计量测试技术研究所内容摘要:

《电磁辐射暴露限值和测量方法》 GJB53132020 13 电子及电气元件 1 温度冲击试验 0418 《电子及电气元件试验方法》 GJB360B2020 2 高温寿命试验 3 密封试验 4 微粒碰撞噪声检测 5 X射线照相检验 ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 13 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 14 半导体分立器件 1 高温寿命(非工作) 041803 《半导体分立器件试验方法》 GJB128A1997 2 老炼 (二极管、整流管和稳压管 ) 3 老炼(晶体管) 只测300W以下 4 老炼和寿命试验(功率场效应 晶体管和绝缘栅双极晶体管 5 温度循环(空气 空气) 6 密封 7 恒定加速度 14 半导体分立器件 8 粒子碰撞噪声检测 41803 《半导体分立器件试验方法》 GJB128A1997 9 外观及机械检验 10 芯片粘附强度 11 键合强度 12 晶体管内部目检(封帽前) 13 芯片目检(半导体二极管) ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 14 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 14 半导体分立器件 14 内部目检(半导体二极管) 41803 《半导体分 立器件试验方法》 GJB128A1997 15 开帽内部设计目检 16 X射线照相检验 15 微电子器件 1 稳定性烘焙 041807 《微电子器件试验方法和程序》 GJB548B2020 2 温度循环 3 密封 4 老炼试验 5 恒定加速度 6 外部目检 7 粒子碰撞噪声检测 8 内部目检(单片) 9 键合强度(破坏性键合拉力试验) 10 X射线照相 11 破坏性物理分析( DPA)的内部目检 15 微电子器件 12 内部目检(混合电路) 041807 《微电子器件试验方法和程序》 GJB548B2020 13 芯片剪切强度 ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 15 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 15 微电子器件 14 芯片粘接的超声检测 041807 《微电子器件试验方法和程序》 GJB548B2020 16 存储器 1 输出高电平电压 VOH 041807 《半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T 107391996 2 输出低电平电压 VOL 3 输入负载电流 ILI 4 工作状态时电源电流ICC 5 全“ 1” 全“0” 17 TTL电路 1 输入钳位电压 VIK 041807 《半导体集成电路 TTL 电路测试方法的基本原理》 SJ/T 107351996 2 输出高电平电压 VOH 3 输出低电平电压 VOL 4 输入电流II 5 输出短路电流 IOS 6 输出高阻态时高电平电流 IOZH 7 输出高阻态时低电平电流 IOZL ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 16 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 17 TTL电路 8 电源电流ICC 041807 《半导体集成电路 TTL 电路测试方法的基本原理》 SJ/T 107351996 9 输出高电平电源电流ICCH 10 输出低电平电源电流ICCL 041807 18 CMOS电路 1 输出高电平电压 VOH 041807 《半导体集成电路 CMOS 电路测试方法的基本原理》SJ/T 107412020 2 输出低电平电压 VOL 3 输出高电平电流 IOH 4 输出低电平电流 IOL 5 输出高阻态时高电平电流 IOZH 6 输出高阻态时低电平电流 IOZL 7 电源电流IDD 19 运算放大器 1 输入失调电压 VIO 041807 《半导休集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》 SJ/T 107381996 2 输入失调电流 IIO ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 17 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 19 运算放大器 3 输入偏置电流 IIB 041807 《半导休集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》 SJ/T 107381996 4 静态功耗PD 5 差模开环电压增益 AVD 6 共模抑制比KCMR 7 电源电压抑制比 KSVR 8 输出峰 峰电压 VOPP 20 A/D 、 D/A转换器 1 失调 EO 041807 《半导体集成非线性电路数字 /模拟转换器和模拟 /数字转换器测试方法》 SJ/T 108181996 2 增益误差EG 3 精度 EA 4 线性误差EL 5 零点误差EZ 6 功耗 ID 21 时基电路 1 复位电流IR 041807 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》 GB/T 140301992 《半导体集成电路 TTL 电路测试方法的基本原理》 SJ/T 107351996 ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 18 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 21 时基电路 2 触发电流ITR 041807 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》 GB/T 140301992 《半导体集成电路 TTL 电路测试方法的基本原理》 SJ/T 107351996 3 阈值电流IT 4 静态电源电流 ID 5 输出高电平电压 VOH 6 输出低电平电压 VOL 22 电压比较器 1 输入失调电压 VIO 041807 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》SJ/T 108052020 2 输入失调电流 IIO 3 输入偏置电流 IIB 4 静态功耗PD 5 开环电压增益 AVD 6 共模抑制比KCMR 7 电源电压抑制比 KSVR ISO/IEC 17025 认可证书 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 19 页 共 185 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序号 检测 对象 项目 /参数 领域 代码 检测标准(方法)名称及编号(含年号) 限制 范围 说明 序号 名称 23 模拟开关 1 导通电阻Ron 041807 《半导体集成电路模拟开关测试方法的基本 原理》 GB/T 140281992 2 截止态漏极漏电流 ID 3 导通态漏电流 IDS 4 截止态源极漏电流 IS 5 静态电流ID 24 V/F、 F/V转换器 1 失调误差EO 041。
阅读剩余 0%
本站所有文章资讯、展示的图片素材等内容均为注册用户上传(部分报媒/平媒内容转载自网络合作媒体),仅供学习参考。 用户通过本站上传、发布的任何内容的知识产权归属用户或原始著作权人所有。如有侵犯您的版权,请联系我们反馈本站将在三个工作日内改正。