双机热备方案建议书

双机热备方案建议书内容摘要：

的平台解决方案为客户提供更高的总体价值。 例如，英特尔C600 系列芯片组和英特尔万兆以太网解决方案可确保不同工作负载均可实现较高的性能，同时还提供了集成的串行连接 SCSI（SAS）和以太网光纤通道（FCoE）等高级功能。 它们可以帮助您在当前的虚拟和云环境中简化、整合以及加快存储和网络连接。 此外，这些工具还可以扩展英特尔智能功耗技术，以便在整个服务器平台上优化性能与能源效率。 表 1. 英特尔至强处理器 E51600/2600 产品家族概述特性优势出色的性能满足最广泛的应用和环境需求先进的多核、多线程处• 每个插座最多支持 8 个内核和 16 条线程• 非常适用于虚拟数据中心和公共/私有云部署更大的内存和高速缓存配置• 多至 20 MB 三级高速缓存有助于快速访问经常使用的数据• 每台两路处理器多至 24 个 DIMM，支持多台数据密集的虚拟机• 和上一代产品比较而言，支持更高的内存速度（1600 MHz 与 1333 MHz）更高的性能满足高峰工作负载需求英特尔睿频加速技术 可充分利用性能与散热方面的扩展空间，以便针对高峰工作负载提高处理器频率• 相比上一代技术，更大程度地提升了性能和改进了效率更高的性能满足高性能计算（HPC）应用需求• 英特尔高级矢量扩展指令集（英特尔AVX）将最大矢量长度从 128 位增加至 256 位，从而显著加快矢量和浮点运算速度• 浮点运算速度提升多至两倍4，进而显著增强高性能计算（HPC）5 应用的性能优化的数据中心解决方案有助于降低成本行业领先的 I/O 性能• 英特尔集成 I/O 提供多至 80 个 PCIe 通道（每台双路服务器）、延迟最高降低 30%7，并且支持 PCIe 规范，带宽增加多至两倍6• 英特尔数据直接传输技术（英特尔DDIO）可将数据从存储设备直接传输至高速缓存，I/O 性能提升多至 倍8首款集成式存储和服务器处理器• 支持关键存储处理器特性，其中包括能提升可扩展性的非透明桥接；能够连接多台系统，每台系统均能访问其它系统的内存窗口；更快的 RAID，无须独立的定制芯片即可执行 RAID 5 和 6 操作行业领先的能源效率• 英特尔智能功耗技术9 可随着工作负载的变化动态管理 CPU 和内存的能耗状态，从而在不影响性能的情况下，最大程度地降低系统功耗• 借助更多的传感器、更精细的控制、更快的控制回路和更高的精确性，系统功耗显著低于上一代产品全面的监控和控制• 英特尔智能节点功耗管理器可帮助 IT 部门监控和控制服务器功耗• 英特尔数据中心管理器可帮助 IT 部门在所有层面上动态优化能耗，其中包括单独的服务器、机架、整排机架和整个数据中心最新E52600系列处理器升级到的V2版本，与之前版本对比列表如下：E52600v2的处理器规格表如下： AMD Opteron处理器技术2011年11月14日， AMD自豪地推出AMD皓龙6200系列——全球首个16核x86服务器处理器，拥有最高密度核心可进行自由升级以处理所需的多线程工作负载，如云计算、高性能计算、虚拟化、数据库和商务应用程序。 AMD皓龙6200系列处理器采用世界上首款模块化的x86处理器内核设计，是首款具备多线程浮点单元的处理器和首款支持FMA 和XOP指令集的处理器。 这些新特性能够给HPC、数据中心、虚拟化尤其是正在兴起的Web和云计算等高度线程化的工作负载，带来高性能、高扩展性和高效等优势。 AMD皓龙6200为企业提供更佳性能，性能最高提升达84%；为虚拟化进一步增强可扩展性，内存带宽增加73%，使服务器可以管理更多虚拟机并应付更大的负载；为云计算带来了更高的经济性，每核心能耗降低一半，机房占用空间减少三分之二，平台价格最高可下降三分之二。 例如，采用AMD皓龙6200系列处理器的HP ProLiant G7服务器拥有全球最高等级的核心密度，可在每机架使用2048个内核（比传统产品多33%）以支持经常并行发生的高性能计算工作负载，性能较传统产品提高35%。 ，支持4路服务器，具备116核心，支持四通道DDR31600内存，采用的G34插槽兼容于AMD皓龙6100系列所用芯片组。 其中，6272拥有16核心；6212拥有8核心、。 创新的内核架构、AMD Turbo CORE技术、Flex FP浮点处理能力是6200系列的关键特性，这给用户带来了高密度、多线程、高扩展等好处。 型号核数主频所有内核最高跳频部分内核最高跳频二级缓存三级缓存6282 SE1616M16M62761616M16M62741616M16M62721616M16M62381212M16M62341212M16M622088M16M621288M16M62044N/AN/A4M16M6262 HE1616M16M HP Proliant 服务器内存技术 HP SmartMemory内存技术HP SmartMemory是为ProLiant Gen8服务器推出的独特技术，开放了一些仅在惠普认证内存上可用的功能。 ProLiant Gen8系统可以可靠地识别和验证加载的内存是否通过了惠普严格的合格验证和测试过程。 HP SmartMemory是希望保证购买到正版惠普认证内存的客户的理想选择，它针对HP ProLiant进行了优化，并可以通过HP Active Health System支持未来的增强功能。 提供了卓越且独特的惠普认证内存特性和功能，改进了可靠性、性能和可管理性方面的价值HP Proliant Gen8使用了全新推出的DDR3内存，它与G7服务器的内存不同，具备如下特点：更高的内存频率，DDR31600内存带宽提高20% 减负型LRDIMM，减轻内存数据总线的负担，加快运算速率，增加DIMM数量(3DPC@1066)，增加 50% 内存容量达到768GB。 HP SmartMemory，验证确认内存可在HP ProLiant Gen8服务器上使用，支持HP SmartMemory增强型内存性能，通过HP Active Health System提供未来可管理性支持。 低电压DDR3L（），灵活性：（性能相同）内存技术信息汇总：DDR3是第三代双倍数据速率(DDR) SDRAM内存。 它是DDR内存技术的继续发展，可以实现更高的速率、更低的功耗以及更好的散热。 它是配备了多核处理器的高带宽系统的理想内存解决方案。 目前可用的容量包括16和32GB。 惠普的DDR3选件套装包括一个DIMMDIMM类型：带ECC的UDIMM的延迟和功耗均低于RDIMM，但容量限制更多。 带ECC的非缓冲内存在制造商的模块名称中带E标识（例如，PC310600E）。 RDIMM也有ECC，并且容量比UDIMM大，包括地址奇偶校验保护。 寄存型在模块制造商的名称中带R标识（例如，PC310600R）。 ECC是指纠错码（Error Correct Code）功能。 可以纠正单个位错误。 可以检测但不纠正多位错误。 高级ECC可以纠正特定的多位错误。 速率是指DRAM芯片以及使用这些芯片内存模块的数据速率。 当前的Gen8内存提供两种基本速率：DDR31066 DRAM 以1066Mb/秒的速率运行。 采用DDR31066 DRAM的DIMM称为PC38500 (1066 x 8 字节，约等于8500 MB/秒）DDR31333 DRAM 以1333Mb/秒的速率运行。 采用DDR31333 DRAM的DIMM称为PC310600 (1333 x 8 字节，约等于10600 MB/秒）DDR31600 DRAM 以1600Mb/秒的速率运行。 采用DDR31600 DRAM的DIMM称为PC312800(1600 x 8 字节，约等于12800 MB/秒）系统实现的速率取决于内存在系统中的安装方式。 Rank— DDR3支持单排、双排和四排DIMM。 排是指在内存总线上汇集到一起以提供64位（8字节）数据的DRAM芯片。 一个排中的所有芯片同时受相同的芯片选择、地址和命令信号的控制。 数据宽度 — x4和x8表示每个DRAM的数据输出数量。 八个x8 DRAM形成一个排。 十六个x4 DRAM形成一个排。 两种情况下都是64位。 对于Gen8内存，所有RDIMM都只有x4。 UDIMM只有x8。 非缓冲ECC和寄存型DIMM将具有：每排有9个DRAM (x8)或18个DRAM (x4)，并有额外的DRAM用于ECC。 密度 — 描述DRAM芯片中的存储位置数。 DDR3将推出基于1Gb和2Gb的DRAM。 在DDR3中没有512Mb。 电压 — 随着时间推移，DDR3内存将包含三种额定电压：G6采用标准电压()；G7采用低电压()。 未来：超低电压（TBD，）DDR3采用了能耗更低的架构，这是因为其核心电压更低。 与DDR2相比可节省超过25%的功耗（DDR2800与DDR3800比较）DDR31066的功耗低于DDR2800。 CAS延迟 — 列地址选通(Column Address Strobe)延迟是指DRAM在一些总线时钟中从列地址到在内存总线上提供数据的DRAM的读取响应时间。 在大多数应用中，这个数值越小，性能越高。 HP DDR3部件编号说明格式以上格式汇总为：HP 8GB 2Rx4 PC3L10600R9 Kit HP高级内存保护技术惠普ProLiant服务器普遍采用了内存保护技术。 惠普推出的这项技术包括了很多的方法来支持在出现内存故障时保证系统可持续运行。 本节的内容将为你解释造成系统内存出错的主要原因，并阐述HP所使用的预防“硬件”内存错误的方法，以及识别和纠正不可避免的“软件”错误的方法。 随着企业的发展，越来越多的应用要依赖工业标准服务器，并在上面运行对内存敏感的以及关键任务应用。 这就要求操作系统能够支持更多的内存，而对于服务器就要拥有更大的内存容量来应付新的应用。 为迎接新的内存挑战，HP提供了2个级别的高级内存保护，为哪些需要更高等级可用性的应用提供了增强的容错能力。 HP用户将能够按照自己的意愿来选择系统内存保护级别――在线备用Online Spare 内存，热插拔镜像内存。 u 内存错误服务器中的内存模组是电子存储设备；因此它们本身就对内存错误比较敏感。 电脑使用两种类型的内存设备—静态随机存储内存 (SRAM) 和动态RAM (DRAM)。 SRAM用于高速缓存，速度非常快，并一直保持数据，直到电源关电。 DRAM 芯片组安装了168针双面内存组件 (DIMM条)。 每个DRAM 芯片组以行和列的电容器存储数据(内存细胞)，需要不断地充电或刷新，以便可以保存数据。 一个已充电的电容器代表一个“1”数据位，一个没有充电的电容器代表“0”数据位。 电子充电的级别是由内存设备的操作电压所决定的。 当一个内存细胞在读操作中被访问时，电容器的负荷决定了它被读出的数据位是“1”或“0”。 例如，在一个5伏系统中，一个传感器以+5v的负载对电容器充电，输出就是“1”位；而传感器读电容器时放电到0v，就是“0”位。 只要电压是在 +5 v到 0 v之间, 传感器读出的数值就是正确的。 然而，如果电容器充电受到某些外界事物的影响，那么数据就不正确了。 对于运行关键事物应用的服务器，这些内存错误能够导致服务器崩溃和商业数据的永久丢失。 内存错误分为单位错和多位错。 n 单位错和多位错内存总线是电子线路，包括两部分：数据总线和地址总线。 数据总线是承载实际数据送入内存以及从内存SDRAM取数据的路径。 每条线路承载一位数据。 今天的计算机有64位的数据总线，可以同时传送64位数据。 这些64位数据包含了一个ECC数据字。 数据字中一位的错误称为单位错。 数据字中超过一位的错称为多位错。 n 硬错误和软错误内存错误指的是硬错误或软错误，取决于所发生的情况。 一个硬错误是由损坏的硬件造成的，因此内存设备会不断返回不正确的结果。 软错误通常比较常见，当有电子干扰接近内存单元或接近正在充电的电容器时，错误就会发生。 软错误不会反复出现，一旦纠正就会消失。 n 预防内存错误的方法有两种方法保护内存免受错误侵袭：诊测以及使用错误识别/纠正技术。 HP 为工业标准服务器进行了严格苛刻的内存检测并为服务器提供了故障前保修；使用先进的内存错误识别/纠正技术保护数据，这就是高级内存保护技术。 预防内存出错的方法：179。 超级检测改善内存可靠性179。 HP故障前保修179。 错误识别/纠正技术u HP 高级内存保护技术惠普致力于开发内存保护技术，并将这些技术应用到ProLiant系列服务器中，以提高系统的容错性，增加系统的可信度。 惠普ProLiant 300及500系列服务器都具备一项或多项AMP 技术：在线备份内存（Online Spare Memory）, 热插拔镜像内存（Hot Plug Mirrored Memory）、Lockstep技术。 n 在线备份内存模式相对标准内存模式而言，在线备份内存模式可以提供更高级别的内存保护。 它特别适用于没有足够计算机系统维护人员或者手头没有多余的内存可以方便的替换的场所。 在线备份内存是一种基于冗余备份思想的技术，在进行内存热备时，做热备份的内存在正常情况下是不使用的，也就是说系统是看不到这部分内存容量的。 每个内存通道中有一个DIMM不被使用，预留为热备内存。 芯片组中设置有内存校验错误次数的阈值，即每单位时间发生错误的次数。 当工作内存的故障次数达到这个“容错阈值”，系统开始进行双重写动作，一个写入主内存，一个写入热备内存，。