光电检测技术与应用(题内容摘要：
， 然后加热生成 N 型硒化镉，与原来 P 型硒形成一个 大面积 PN 结，然后涂上半透明保护层，焊上电极，铝片为正极，硒化镉为负极。 适用波长 ~∕μ m。 在实际应用中，由于硒光电池的光谱响应曲线与 V（λ）很相似，很适合做光度测量的检测量。 硅光电池结构： 它是用单晶硅组成的，在一块 N 型硅片上扩散 P 型杂质（如硼），形成一个扩散 P+N 结；或在 P 型硅片扩散 N 型杂质（如磷），形成 N+P 结；再焊上两个电极。 P 端为光电池正极， N 端为光电池负极，作光电检测器在地面技术上使用的最多为 P+N 型。 适用波长 — ∕μ m 在实际应用中，把硅光电池单体经串联、并联组成电池组， 与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站、野外灯塔、航标灯和无人气象站等无输电线路地区的电源供给。 第 光电导效应：在物质受到辐射光的照射后，材料的电学性质发生了变化（电导率改变、发射电子、产生感应电动势等）的现象称为光电效应。 外光电效应：是指受到光辐射的作用后，产生电子发射的现象。 内光电效应：是指受到光照射的物质内部电子能量状态产生变化，但不存在表面发射电子的现象。 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子显著增加而电阻减小的现象。 光生伏特效应：光照在半导体 PN 结或金属半导体接 触面上时，会在 PN 结或金属半导体接触的两侧产生光电动势。 本征光电导效应：只有光子能量 m 大于材料禁带宽度 Eq 的入射光，才能激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应现象 光热效应：某些物质受到光照后，由于温度变化而造成材料性质发生变化的现象 温差电效应：由两种材料制成的结点出现温差而在两结点 间产生电动势回路产生电流 杂质光电导效应：是指杂质半导体中的施主或者受主吸收光子能量后电离，产生自由电子或空穴，从而增加材料电导率的现象 第 两种高速的光电二极管的结构特点，原理 答： APD：在光照时，。阅读剩余 0%
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