湖南20xx届高三第7次月考试题理综物理内容摘要:

π B2R4ω2r 【解析】在 C从 A点沿圆弧移动到 D点的过程中,导线框在磁场中的面积先增大后减小S= 2Rh= 2R2sin θ ,磁通量先增大后减小,产生的感应电流先逆时针,后顺时针。 当 C 沿圆弧移动到圆心 O 的正上方时,导线框的面积最大,变化率为零,感应电动势为零。 在 C从 A点沿圆弧移动到图中 ∠ ADC= 30176。 位置的过程中,通过导线上 C点的电量为 BR2r sin 60176。 = 3BR22r。 在 C从 A点沿圆弧移动到 D点的过程中,导线框中产生的电动势 e= ωBR2cos ωt 满足余弦规律,按余弦交流电有效值规律可算得导线框中产生的电热为 π B2R4ω2r。 第 Ⅱ 卷 三、非选择题:本卷包括必考题和选考题两部分。 第 22题~第 32题为必考题,每个试题考生都必须作答。 第 33题~第 38题为选考题,考生根据要求作答。 (一 )必考题:共 129分。 22. (8分 ) 霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。 如图 1所示,在一矩形半导体薄片的 P、 Q间通入电流 I,同时外加与薄片垂直的磁场 B,在 M、 N间出现电压 UH,这个现象称为霍尔效应, UH称为霍尔电压,且满足 UH= kIBd ,式中 d为薄片的厚度, k为霍尔系数。 某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。 (1)若该半导体材料是空穴 (可视为带正电粒子 )导电,电流与磁场方向如图 1所示,该同学用电压表测量 UH时,应将电压表的 “ + ” 接线柱与 __M(2 分 )__(填 “ M” 或 “ N”) 端通过导线相连。 (2)已知薄片厚度 d= mm,该同学保持磁感应强度 B= T不变,改变电流 I的大小,测量相应的 UH值,记录数据如下表所示。 I(10 - 3 A) UH(10 - 3 V) 根据表中数据在图 2 中画出 UH- I 图线 (4 分 ),利用图线求出该材料的霍尔系数为10 - 3(10 - 3~ 10 - 3 均正确 )(2 分 )__VmA - 1T - 1(保留 3 位有效数字 )。 【解析】 (1)根据左手定则得,正电荷向 M端偏转,所以应将电压表的 “ + ” 接线柱与M端通过导线相连。 (2)UH- I 图线如图所示。 根据 UH= kIBd 知,图线的斜率为 kBd= k 10 - 3= ,解得霍尔系数 k= 10 - 3 VmA - 1T - 1。 23. (8分 ) 利用如图甲所示的装置可测量滑块与斜面之间的动摩擦因数,在斜面上安装两个光电门A、 B,且光电门固定在斜面上, A、 B两点高度差为 h,水平距离为 s,当一带有宽度为 d的很窄的遮光片的滑块自斜面上滑下时,与两个光电门相连的计时器可以显示出遮光片通过光电门时的遮光时间 t,让滑块每次从斜面上不同点由静止开始滑下,记下相应的 tA、 tB值。 完成下列填空: (1)滑块经过光电门 A、 B时的瞬时速度 vA= __dtA(2分 )__, vB= __dtB(2分 )__; (2)根据上面 测量的物理量,得到滑块的动摩擦因数计算表达式为 μ = __hs- d22gs1t2B-1t2A(2分 )__; (3)某实验小组同学实验测量得到 h= m, s= m, d= cm,根据多次测量 tA、tB 值,由计算机处理得到 1t2B- 1t2A图线如图乙所示,可计算得到滑块与斜面动摩擦因数 μ =。
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