高二物理变化的磁场内容摘要:
若将两磁场分开,在 x轴下方隔出一个水平真空,高度 d=5 cm,求粒子返回 x轴时打在何处。 3 已知空间 X轴 O点处有一比荷 5 107c/kg正粒子以 v0=6 106m/s的速度沿 x轴正方向垂直匀强磁场射入,整个平面磁感应强度 B随 x坐标如图变化, 向外为正, 则粒子运动的轨迹如何。 已知空间 X。高二物理变化的磁场
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进行处理。 二、带电粒子的偏转 受力分析: 电子受到竖直向下的电场力 F= Eq=qU/d 运动分析 : 电子作 类平抛 运动。 U L + + + + + + Y d Y′ v0 F V 实验录像:用阴极射线管演示带电粒子在电场中的偏转 解 :电子进入偏转电场后 ,在竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动 . 加速度 mdeUmFa 所以偏移距离 所以偏移角度 dmve U
在实验 1中,当导体 AB在磁场中静止或平行于磁感线运动时,无论磁场多强,闭合回路中都无电流;当导体 AB做切割磁感线运动时,闭合回路中有电流产生. 在实验 2中,当条形磁铁静止在螺线管中时,无论磁铁的磁场多强,回路中都没有电流;将磁铁插入或拔出螺线管时,组成螺线管的导线切割磁感线,闭合回路中有电流产生. 在实验 3中,导体和磁场之间并没有发生相对运动.当螺线管 AB中电流不变时,螺线管
Φ 和电路电阻 R 有关 . 3 . n 匝线圈时 , 每匝线圈产生的电动势都等于Δ ΦΔ t,n 匝串联 , 所以总电动势为 nΔ ΦΔ t, 不能认为 n 匝线圈的总磁通量为 n Δ Φ . 4 . 若不同时间内的Δ ΦΔ t不同 , 则不能根据平均电动势求电功和电功率 . 特别提醒: ( 1 ) Φ 、 Δ Φ 、Δ ΦΔ t均与线圈匝数无关,彼此之间也无直接关系 . ( 2 ) Φ
介质形成折射波。 i 39。 ir① 入射线、反射线和界面的法线在同一平面上; ( 1) 反射定律 ii 39。 ② 反射角等于入射角。 ① 入射线、折射线和界面的法线在同一平面上; ② 21s ins inuuri 2112nn( 2) 折射定律 1u1n2n2u1221nu 用惠更斯原理解释折射定律 sin sin i r = CB AB AD AB 1 = u
图,电子经电压 U=300v加速后以某个速度垂直进入半径为 R= cm的圆形偏转磁场, 已知偏转磁场的磁感应强度为 B=2 10- 3T,偏转磁场的圆心到屏的距离为L=10cm,电子的比荷 m/e=6 1012。 在不加偏转磁场时,电子恰好能打在屏上中心点 O2,求当加上偏转磁场 B后,电子经过偏转磁场打在屏上的位置 P距 O2点的距离。 3 二 、 质谱仪 1.原理图:如图所示. U 221