高二物理惠更斯原理及其应用内容摘要:
介质形成折射波。 i 39。 ir① 入射线、反射线和界面的法线在同一平面上; ( 1) 反射定律 ii 39。 ② 反射角等于入射角。 ① 入射线、折射线和界面的法线在同一平面上; ② 21s ins inuuri 2112nn( 2) 折射定律 1u1n2n2u1221nu 用惠更斯原理解释折射定律 sin sin i r = CB AB AD AB 1 = u。高二物理惠更斯原理及其应用
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Φ 和电路电阻 R 有关 . 3 . n 匝线圈时 , 每匝线圈产生的电动势都等于Δ ΦΔ t,n 匝串联 , 所以总电动势为 nΔ ΦΔ t, 不能认为 n 匝线圈的总磁通量为 n Δ Φ . 4 . 若不同时间内的Δ ΦΔ t不同 , 则不能根据平均电动势求电功和电功率 . 特别提醒: ( 1 ) Φ 、 Δ Φ 、Δ ΦΔ t均与线圈匝数无关,彼此之间也无直接关系 . ( 2 ) Φ
进行处理。 二、带电粒子的偏转 受力分析: 电子受到竖直向下的电场力 F= Eq=qU/d 运动分析 : 电子作 类平抛 运动。 U L + + + + + + Y d Y′ v0 F V 实验录像:用阴极射线管演示带电粒子在电场中的偏转 解 :电子进入偏转电场后 ,在竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动 . 加速度 mdeUmFa 所以偏移距离 所以偏移角度 dmve U
图,电子经电压 U=300v加速后以某个速度垂直进入半径为 R= cm的圆形偏转磁场, 已知偏转磁场的磁感应强度为 B=2 10- 3T,偏转磁场的圆心到屏的距离为L=10cm,电子的比荷 m/e=6 1012。 在不加偏转磁场时,电子恰好能打在屏上中心点 O2,求当加上偏转磁场 B后,电子经过偏转磁场打在屏上的位置 P距 O2点的距离。 3 二 、 质谱仪 1.原理图:如图所示. U 221
, 小试牛刀 ) 、 副线圈匝数之比为 10∶ 1, 在原线圈中通以 50 Hz的正弦交流电 , 则下列说法正确的是 ( ) A. 原 、 副线圈两端的电压之比为 10∶ 1 B. 原 、 副线圈中通过的电流之比为 10∶ 1 C. 原 、 副线圈的输入 、 输出功率之比为 10∶ 1 D.原、副线圈中交流电的频率之比为 10∶ 1 解析: 选 A.
20vvv t 位移 tvs tvvs t 2 0所以 20 21 attvs 再由速度公式得位移公式: 匀变速直线运动的位移公式 20 21 attvs a vvt t 0asvv t 2202 例题 : • 一辆汽车以 1m/s2的加速度做匀加速直线运动,经 12s后行驶了 180m,求汽车开始加速时的速度多大。 例题 : • 一个滑雪的人,从 85米长的