西瓜二段育苗技术内容摘要：
2、。 通电加热后在床面上平铺一层地膜，排放营养钵或铺基质。 3、种子处理播前晒种 2 天，并用 55温水浸种。 浸种时先用小棒连搅 15 分钟，自然冷却后再浸种 34 小时。 4、播种每平方米均匀播种 8001000 粒种子，覆盖一层干湿适中的基质，厚度 厘米，平铺上一层地膜并加盖两层小环棚膜，接通电源，23 天即可出子叶苗。 5、假植当子叶苗高度 2 厘米时可拔苗假植，假植一段子叶苗后要透浇水 1 次，并盖 12 层小环棚膜保温保湿，完后接通电加温线加温。 6、温度管理基质苗床温度控制为：白天 3032，夜间不低于 15，促进出苗，晴天中午注意降温，控制出苗速度。 假植苗床温度为：在假植开始至第 1 片真叶展开，白天 2528，夜间 1516。 第 1 片真叶展开后至第 3 片真叶出现前，白天 3035，夜间 1618。 移栽前 1 周逐步降低床温炼苗，夜间床温从 16逐步降低到 12，以适应大田环境。 7、其他管理假植期间要适当增加通风次数，延长光照时间，及时浇水，并预防苗期病害等。 专利查询。阅读剩余 0%
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