基于51单片机的万年历设计报告

基于51单片机的万年历设计报告内容摘要：

43 DS1302 管脚图 如果在传送过程中置 RST 为低电平，则会终止本次数据传送，并且 I/O 引脚变为高阻态。 上电运行时，在 VCC = 之前， RST 脚必须保持低电平。 只有在SCLK 为低电平时，才能将 RST 置为高电平。 DS1302 的管脚图如图 43 所示，表42 为各引脚的功能。 表 42 DS1302 引脚功能表 引脚号 引脚名称 功能 1 VCC2 主电源 2， 3 X1， X2 振荡源，外接 32768HZ 晶振 4 GND 地线 5 RST 复位 /片选线 6 I/O 串行数据输入 /输出端（双向） 7 SCLK 串行数据输入端 8 VCC1 后备电源 DS1302 的控制字如图 45所示。 控制字节的最高有效位（位 7）必须是逻辑1；如果它为逻辑 0， 则不能把数据写入到 DS1302 中。 位 6 如果为 0，则表示存取日历时钟数据；为 1 表示存取 RAM 数据。 位 5～ 1（ A4～ A0）指示操作单元的地址。 最低有效位（位 0）如为 0，表示要进行写操作；为 1 表示进行读操作。 控制字节总是从最低位开始输入 /输出。 图 45 控制字节的含义 为了提高对 32 个地址的寻址能力（地址 /命令位 1～ 5＝逻辑 1），可以把时钟 /日历或 RAM 寄存器规定为多字节（ burst）方式。 位 6规定时钟或 RAM，而位0规定读或写。 在时钟 /日历寄存器中的地址 9～ 31 或 RAM 寄存器中的地址 31不 7 6 5 4 3 2 1 0 1 RAM CK A4 A3 A2 A1 A0 RAM K 11 能存储数据。 在多字节方式中，读或写从地址 0的位 0开始。 必须按数据传送的次序写最先的 8个寄存器。 但是，当以多字节方式写 RAM 时，为了传送数据不必写所有 31 字节。 不管是否写了全部 31字节，所写的每一字节都将传送至 RAM。 数据读写程序如图 46 所示。 图 46 数据读写程序 (3) DS1302 的寄存器 DS1302 有 12 个寄存器，其中有 7个寄存器与日历、时钟相关，存放的数据位为 BCD 码形式 ,其日历、时间寄存器及其控制字见表 2。 表 2 DS1302 的日 历、时间寄存器 此外， DS1302 还有年份寄存器、控制寄存器、充电寄存器、时钟突发寄存器及与 RAM 相关的寄存器等。 时钟突发寄存器可一次性顺序读写除充电寄存器外的所有寄存器内容。 DS1302 与 RAM相关的寄存器分为两类：一类是单个 RAM单元，共 31 个，每个单元组态为一个 8 位的字节，其命令控制字为 C0H～ FDH，其中奇数为读操作，偶数为写操作；另一类为突发方式下的 RAM 寄存器，此方式下可一次性读写所有的 RAM的 31个字节，命令控制字为 FEH(写 )、 FFH(读 )。 DS1302模块如下图： ≈ SCLK SCLK K I/O 5 0 0 0 7 0 0 0 1 3 0 0 0 5 0 0 0 7 0 0 0 2 0 0 0 1 0 0 0 0 2 4 0 0 0 6 0 0 0 0 0 0 0 ≈ 4 0 0 0 6 0 0 0 R/C A2 A3 A0 A1 R/W A4 1 ≈ DATA I/O BYTE DATA I/O BYTE ≈ RST 12 X12X23VCC21GND4RST5I/O6SCLK7VCC18U2DS1302SSCLKSRSTSDAVCCX1X2GND100pFC5CapGNDBT1Battery DS18B20 温度传感简介 引脚图： DS18B20 的主要特性 、适应电压范围更宽，电压范围： ～ ，在寄生电源方式下可由数 据线供电 、独特的单线接口方式， DS18B20 在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯 、 DS18B20 支持多点组网功能，多个 DS18B20 可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温 、 DS18B20 在使用中不需要任何外围元件，全 部 传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 、温范围－ 55℃ ～＋ 125℃ ，在 10～ +85℃ 时精度为 177。 ℃ 、可编程 的分辨率为 9～ 12位，对应的可分辨温度分别为 ℃ 、℃ 、 ℃ 和 ℃ ，可实现高精度测温 、在 9 位分辨率时最多在 内把温度转换为数字， 12 位分辨率时最多在 750ms 内把温度值转换为数字，速度更快 、测量结果直接输出数字温度信号，以 一 线总线 串行传送给 CPU，同时可传送 CRC 校验码，具有极 强的抗干扰纠错能力 13 、负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁， 但不能正常工作。 DS18B20 的外形和内部结构 DS18B20 内部结构主要由四部分组成： 64 位光刻 ROM 、温度传感器、非挥发的温度报警触发器 TH 和 TL、配置寄存器。 温度数据表如下： DS18B20 温度传感模块如下图： 123P618b20VCCGNDDQR7Res1VCC 键盘电路简介 本设计共采。