新课标粤教版3-1选修三17了解电容器2内容摘要:
【 说明 】 纳电荷的本领,与 U和 Q无关。 :法拉( F )常用的有:微法(μF ) 、皮法 ( pF ) 换算关系: 1 F= 106 μF = 1012pF 四 .决定电容的因素 理论计算和定量实验表明: 4CdkS【 说明 】 表示电容器性能的两个。新课标粤教版3-1选修三17了解电容器2
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以卡尔逊静电复印法对感光鼓有如下要求:具有非常高的暗电阻率。 这种感光鼓在无光照的情况下,表面一旦有电荷存在,能较长时间地保存这些电荷;而在光照的情况上,感光鼓的电阻率应很快下降,即成为电的良导体,使得感鼓表面电荷很快释放而消失。 卡尔逊静电复印法所使用的感光鼓主要由硒及硒
只有第 6条刻度线与主尺上的刻度线重合,其余的刻度线都与主尺上的刻度线不重合。 当被测量的物体厚度为 ()时,主尺上的哪一根刻度线与游标上刻度线相重合呢。 游标卡尺的测量原理 () 主尺 游标 0 1 0 10 cm 游标卡尺的测量原理 游标向右移动 当被测量的物体厚度为 ()时,主尺上的哪一根刻度线与游标上刻度线相重合呢。 游标卡尺的测量原理 当被测量的物体厚度为 ()时
例题 1】 一段均匀导线对折两次后并联在一起 , 测得其电阻为 , 导线原来的电阻多大。 若把这根导线的一半均匀拉长为三倍 , 另一半不变 , 其电阻是原来的多少倍。 【 答案 】 2Ω 10Ω 二 .半导体 金属导体电阻率约为 108~ 106Ωm. 绝缘体的电阻率约为 108~ 1018Ωm. 半导体的电阻率介于导体与绝缘体之间 : (半导体材料:锗、硅、砷化镓等) ⑴半导体的热敏特性
偏转电压U 2 作用后,以速度V离开电场,已知板长L,两板间距为d,求: (1) V 0 的大小 (2) 离子在偏转电场中运动的时间t (3) 离子在偏转电场中受到的电场力F的大小 (4) 离子在偏转电场中的加速度a (5) 粒子离开电场时的纵向速度V y (6) V的大小 (7) 粒子离开偏转电场时的偏移量y (8) 粒子离开偏转电场时的偏转角 θ的正切值 能力 思维 方法 ﹢ ﹣ ﹢ ﹣ U
检验电荷在电场中某点所受的电场力很大时 , 它在该点具有的电势能也一定大。 •( C) 把两个异号电荷靠近时 , 电荷电势能增大。 •( D) 若电场中 A、 B两点间的电势差为零 , 则同一点电荷在 A、 B两点所具有的电势能必定相同。 •( E) 将一电荷匀速地从电场中的一点移至另一点 , 外力所做的功等于该电荷电势能的变化量。 •( F) 电荷在电场中移动时 , 若电场力对电荷做正功
向上是电场力作用下的 匀加速运动, 所以,偏转的位移 202 )(2121lmdqUaty 202022 )(mdqU lyx 0 x0 lmdqUaty ( 3) , 200t a nmdqU ly 所以, )a rc t a n( 20mdqU l( 4)射出板间时速度大小 偏转的角度 例题:如图所示,一个质量为 m、带电量为 q的粒子