半导体与太阳能

半导体与太阳能内容摘要：

大小与电场强度成正比 电位差 漂移运动 漂移电流 电场力 22/49 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造 P 型半导体和 N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了 PN 结。 PN结及半导体二极管 23/49 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场 E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 一、多子扩散 24/49 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场 E 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 二、少子漂移 25/49 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 N型区 P型区 电位 V V0 26/49。 P中的空穴 .N区 中的电子（ 都是多子 ）向对方运动（ 扩散运动 ）。 区中的电子和 N区中的空穴（ 都是少子 ），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意 : 27/49 28/49 为什么硅可以吸收光。 光激发可以打断共价键，产生自由电子；将价电子激发到导带。 硅的禁带宽度 (1100nm。 29/49 光生。