小功率调频发射机电路的设计毕业设计

小功率调频发射机电路的设计毕业设计内容摘要：

N3=3。 (2)谐振回路电容 C20=100PF 谐振回路电感 L    HCL  1f2 1 1262020   (3)输出变压器初级线圈总匝数比 N=N3+N4 高频变压器及高频电感的磁芯应采用镍锌 (NXO)铁氧体，而不能采用硅钢铁芯，因其在高频工作时铁损耗过大。 NXO100 环形铁氧体作高频变压器磁芯时，工作频率可达十几兆赫兹。 若采用外径 内径 高度 =Φ10mm Φ6mm Φ5mm 的 NXO100 环来绕制输出耦合变压器，由公式 （ 32）所示： 第 8页 共 21页      HNcml cmAL MH  322/ 104 2  （ 32） 式中，  =100H/m 为磁导率； N 为变压器初级线圈匝数； A=25mm2 为磁芯截面积；l=25mm 为平均磁路长度。 计算得 N=8，则 N4=5 或 OeR LWNN L  05， 则 92251  NOeR LWN L Oe 取值 2~10，上述公式 (32)取 2。 需要指出的是，变压器的匝数 N N N5 的计算值只能作为参考值，由于分布参数的影响，与设计值可能相差较大。 为调整方便，通常采用磁芯位置可调节的高频变压器。 4． 基极偏置电路 发射极电阻 R21， 由公式 R21=20Ω，bmonU VU BBc os 可得 ：  70c o o s  bmonBB UUV VRIV coBB  （ 33） R21=，由公式 (33)取标称值高频旁路电容 C18=， 电容 C20= 5． 元件清单 R21=20Ω C18= C20=100pF L≈ 10μ H N3=5， N4=3， N5=2 三极管为 3DA1。 激励级宽带功放 电路 设计 利用宽带变压器作耦合回路的功率放大器称为宽带功率放大器 ， 常 见宽带变压器有用高频磁心绕制的高频变压器和传输线变压器。 宽带功率一般不需要调谐回路，可在很宽的频率范围内获得线性放大 ， 但功率 η较低，一般只有 20%左右。 它通常作为发射机的中间级，以提供较大的功率激励。 功率激励级功放管为 3DG130。 3DG130 的参数如表 32 所示。 表 32 3DG130 参数表 PCM ICM VCES hfe fT AP 700mW 300mA ≤ ≥30 ≥150MHz 13dB 第 9页 共 21页 1． 计算电路参数 (1)有效输出功率 PH与输出电阻 RH 宽带功率放大器的输出功率 PH应等于下 级丙类功放的输入功率 Pi=25mW 其输出负载 RH等于丙类功放的输入的输入阻抗 |Zi|=86Ω 即 PH=25mW， RH=86Ω。 (2)实际输出功率 Po ， 设高频变压器的效率 η=80%，则 Po=PH/η= (3)集电极电压振幅 Ucm与等效负载电阻 RH。 若取功放的静态电流 ICQ=Icm=7mA，则 Ucm=2Po /ICQ=2Po /Icm=  kPU c mR H 0 2 约为 (4)高频变压器匝数比 N1/N2 321 HHRRNN  取变压器次 级 线圈匝数 N2=2，则初级线圈匝数 N1=6。 (5)发射极直流负反馈电阻 R20  mA VI VU c mV c cR CQ C E S 取标称值 360Ω (6)功放输入功率 Pi 本级功放采用 3DG130 晶体管，若取功率增益 AP=13dB(20 倍 )，则输入功率 mWApP POi  (7)功放输入阻抗 Ri 交负交负 RRrR bbi  3025 (取 rbb=25Ω β =30) 若取交流负反馈电阻为 10Ω，则 Ri=325Ω (8)本级输入电压振幅 Uim VPRU iiim 3   2． 计算电路静态工作点 (1)VBQ、 IBQ VRIV CQEQ 5 2310713  VVV EQBQ  mAII CQBQ  第 10页 共 21页 (2)R1 R18 (I1=5~10 倍 IBQ) 若取基极偏置电路的电流 I1=5IBQ=5 =，则  kmAVIVR BQBQ 取标称值 R18=3kΩ。  kmA VI VV c cR BQ 为了调节电路的静态工作点， R17 可由标称值为 的电阻与 10kΩ 的电位器组成。 (3)高频旁路电容 C17=， 输入耦合电容 C12=。 此外 ， 还可以在直流电源 VCC 支路上加高频电源去耦 合 滤波网络 ， 通常采用 LC的 Π型低通滤波器。 电容可取 ， 电感可取 47μH 的色码电感或环形磁芯绕制。 还可在输出变压器次级与负载之间插入 LC 滤波器，以改善负载输出波形。 3． 元件清单 C17= C12= R18=3KΩ R 交负 =10Ω N1=6， N2=2 R20=360Ω 三极管为 3DG130 缓冲隔离级电路设计 从振荡器的什么地方取输出电压也是十分重要的。 一般尽可能从低阻抗点取出信号，并加入隔离缓冲级如射极输出器，以减弱外接负载对振荡器幅度、波形以及频率稳定度的影响。 射极输出器的特点是输入阻抗高，输出阻抗低， 电压 放大倍数接近于 1。 由于待传输信号是高频调频波，主要考虑的是输入抗高，传输系数大且工作稳定。 选择电路的固定分压偏置与自给偏压相结合，具有稳定 工作点特点的偏置电路。 如图32 所示。 射极加 R16 可改变输入阻抗。 第 11页 共 21页 uiT23 D G 1 0 0R 1 38kR 1 41 0 kR 1 51kR 1 83kR 1 61kC 1 60 .0 1 P FV C CC 1 20 .0 2 u F 图 32 射级输出电路 射级输出器具有输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数近似等于 1 的特点。 晶体管的静态工作点，一般取 VCEQ =1/2VCC， ICQ=(3~10)mA。 对于图 32 所示电路 ： 1． 已知 Vcc=+12V，负载电阻 RL=325Ω(宽带放大器输入电阻 )，输出电压振幅等于高频宽带放大器输入电压振幅，即 Uom=，晶体管为 3DG100（ 3DG6）。 3DG100的参数如表 33 所示。 表 33 DG100 参数表 PCM ICM VCES hfe fT AP 100mW 30mA 30~200 ≥150MHz β0=60。 晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点，一般取 UCEQ=，ICQ=(3~10)mA。 (1)根据已知条件选取 ICQ=4mA， VCEQ= Vcc=6V，则  kmA VI VV c cIVRR CQ C E QCQEQ。