材料化学专业外文翻译--合成β-mo2c薄膜译文(编辑修改稿)

材料化学专业外文翻译--合成β-mo2c薄膜译文(编辑修改稿)内容摘要：

率 不能 小于 3。 亚化学计量比原子 F 浓度明显存在，这是有害的薄膜生长。 当 过剩的 H2与 O2发生反应形成水或可能在 薄膜中影响 氧化钼 薄膜，它是 电致变色反应的结果。 下面讨论的薄膜沉积 中 使用 O2比例： MoF6= 50 和 H2： MoF6= 4。 使用 XPS 来对膜的组成和 薄膜内 结构 进一步 观察。 MoF6存在 一个值得关注的 问题。 图 2 显示高分辨率的 F1s 核心区域的光谱。 少量的氟被检测 到存在于 沉积薄膜 的表面上。 然而要使它 彻底清除 要 使用的 Ar +溅射， 检测薄膜内 没有 F 的存在。 薄膜的成分 要 在 膜的 3D 区域 进一步研究 ，如图 3 所示。 光谱图 3 中， 通过无溅射作用的清洗，自氧化 Mo 的含量大大减少。 由于 自旋 轨道耦合引起的双峰 膜转变为 Mo 3d5/2 和 Mo 3d3/2。 [24]在 eV 时 Mo 的 d 轨道峰分开，并达到 理论比例 3:2， 表明 Mo 是一个单一的氧化状态 [24]。 氢气 不能用 XPS 检测到，但莫其完全氧化状态中可以检测到氢的存在。 氧化钼与 H 插片的 XPS 分析显示 Mo+5 和 Mo+4 氧化态 是 存在 的。 [21]此外， 由于 薄膜的透明性 ，我们可以检测氧化膜的纯度 ， 由于 MoO3Hx是灰色的 ， 可以 利用电致变色的 原理来检测。 [21， 27] 图 2 溅射后的 MoO3高分辨率的 F 1S 区的 XPS 光谱 与图 图 3。 经渗碳后的 MoO3薄膜的高 分辨率 XPS 光谱 图 表 1 总结文献报道 各种价态的 Mo 的形成规律 如上所述在规格为 （ 100） 的 硅片上沉积厚度为 100500nm氧化钼薄膜。 然 后 使用标准的 TPR 条件 渗碳。 薄膜保持硅衬底 渗碳后 ，使用下面技术进行了表征。 晶体结构的变化与 TPR 方法所得的薄膜 一起总结在图 4 中，比较粉末样品和 200 nm 薄膜。 氧化钼 是稳定 正交结构。 图 4。 比较得到氧化物粉末的 XRD 图谱和 渗碳后的 200 纳米的氧化膜（底部）和后（顶部） 的图谱。 获得有价值的 JCPDS 761003（氧化物）和 JCPDS 790744（硬质合金）。 用 X 射线衍射仪测定沉积的氧化膜它是 非晶 的，但是将它 在 空气中退火结晶时 （ 温度 150176。 C）， 在渗碳过程中，氧化膜的转化过程中 形态变化 ，如图 4 所示。 将 薄膜样品 与退火所得的 粉末样品 相比较 ， 表明 多晶硅氧化钼在 2θ= 176。 的方向上择优生长。 渗碳过程完成后，同样的材料 测定。 再次观察粉末，样品与 βMo2C 完全一致。 需要注意的是 βMo2C 相 具有 正交晶体结构（ JCPDS 790744），虽然其晶格位置是（ JCPDS 350787），它经常被这样 用于 描述催化剂 结构 [16， 28]。 硬质合金粉末和薄膜显示在 2θ 处有 三个 明显的 峰， ， 和 ， 的坐标为（ 100），（ 002），（ 101）。 所得样品 有没有残留氧化物，钼金属，或任何其他的碳化钼晶相 我们无法证实。 XRD 图谱从渗碳 后得到的 粉末样品 是完全 转化为βMo2C 相。 光电子能谱被用来 测定渗碳后 膜 的组成。 图 3 包含高分辨率光谱 的氧化钼薄 膜的结构。 钼碳化物 的峰位 明显 低于氧化物薄膜，表明它的结合能低于氧化钼薄膜 结合能相对于氧化物薄膜。 这种材料的成分纯度可由再个间距（为 EV）的两峰来表征，这表明，钼主要是以一个单一的氧化状的形式存在。 图 5 表明，从较高分辨率光谱的谱区 中可以区别 氧化物膜和渗碳后 的薄膜， 氧化物薄膜显示突出高峰是 =， 相关资料可以参考文献。 [29]硬质合金表面的部分氧化 但有部分却是钝化的。 虽然 峰位 衰减 幅度 相对于氧化物薄膜有 2 个微弱 的峰， 不同的峰值是 和。 这是推测，前者是氧化钼，而后者可能 是氧化膜薄膜 吸附 了 二氧化碳， 这是由于之前薄膜在冷却过程中使用的工业级氮气。 注意 的是 这种残余氧化物将被 作为具有催化剂用的的物质被在还原后将被清除。 图 5。 经渗碳后的 MoO3薄膜的在 O 1s 地区的高 分辨率 XPS 光谱。