非金属材料专业毕业设计论文外文翻译-太阳能级多晶硅长晶速率和杂质分布中文(编辑修改稿)内容摘要：
少 子寿命，这些测量是在 2cm 厚的样品上进行的。 图 试 样的位置。 表 在 硅 （ Si， s） ，坩埚 （ cr） ，石墨 （ g） 中 的热传导 3. 结果 凝固 假设热量是从坩埚底部辐射出去的，则凝固的界面位置可以通过一个样品的热传导模型计算出来。 当假设所有的界面具有相同的区域 A（ 图 2） 在固体 硅，石英坩埚 以及坩埚底部石墨绝缘材料的热传导可以用表 1 来表示。 图 2. 系统的温度和 厚 度 变化 曲线 图 3. 凝固高度的 计算值和测量值随时间的变化 曲线 联立公式（ 1） — （ 3）并且假设 Qsi,s=Qcr=Qg=Q,可以得出下面的公式 在凝固过程中假定热传导系数是不同的，冷却温度 Tp 是用热电偶测量的。 经过结晶的固态硅的热传导可以表达为 4 △ H 是硅的热焓， ρ si 是硅的密度， Msi 是硅的摩尔质量 ,v 是硅的长晶速率， 假设公式 4=公式 5，则 下面的公式可以计算出多晶硅的长晶速率 在假设熔体没有过热的情况下公式 6 是忽略第二种情况的简化， Tsh=0。 在公式 6 中。 石英坩埚的导热系数是不定的，并且 Kcr 是不变的。 它也表明了热传导系数是 由 坩埚涂层厚度和密度决定的事实。 因此，在两种不同的传导计算中很难量化 Kcr 和长晶速率。 当假设坩埚的热传导系数是 计算的 晶体生长高度 与凝固过程的测量值是相符合的，如图 3 所所测得的凝固程度随时间的变化在两个实验中是很相似的，表明 系统 热力学条件稳定、重现性好。 平均速率 4 10 6 米 /秒是计算出的测量值。 在这两项实验中 多晶硅锭生长 过程的界面曲率都是中心到两侧大约5mm 高度差别的凸形界面。 图 scheil 公式计算出的在多晶硅锭 生长方向 的碳含量分布 碳氧含量 如图 4，由 于氧的偏析和在凝固过程超过 它 在硅中的溶解度使氧的含量在 晶体生长方向 上是增加的。 这导致 sic 的沉淀，并且使这 两 个多晶硅锭的碳含量 测量值偏离真实的碳浓度，这是由于傅立叶变换红外光谱只能测量替代 位 的碳浓度。 这两个多晶硅锭的碳分布是很相似的，在硅锭中心部位的浓度大约都是 4ppma。 假定碳的分凝系数是 ，则碳的浓度可以通过 scheil方程 计算出来。 假设 一开。阅读剩余 0%
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