基于单片机的节日彩灯设计课程设计(编辑修改稿)

基于单片机的节日彩灯设计课程设计(编辑修改稿)内容摘要：

于内部上拉的缘故。 再 FLASH 编程和校验时， P1 口作为第八位地址接收。 P2 端口（ ）： P2 口为一个内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P2 口缓冲器可接收，输出 4 个 TTL 门电流，当 P2 口被写“ 1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。 并因此作为输入时， P2 口的管脚被外部拉低，将输出电流。 这是由于内部上拉的缘故。 P2 口当用于外部程序存储器或 16 位地址外部数据存储器进行存取时， P2 口输出地址的高八位。 在给出地址“ 1”时，它利用内部 上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时， P2 口输出其特殊功能寄存器的内容。 P2 口在 FLASH 编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。 P3 端口（ ）： P3 口管脚是一个带有内部上拉电阻的 8 位的双向 I/O端口，可接收输出 4 个 TTL 门电流。 当 P3 口写入“ 1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。 作为输入端时，由于外部下拉为低电平， P3 口将输出电流（ ILL）。 P3 口也可作为 AT89C51 的一些特殊功能口，如表 1 所示。 P3 口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。 复位 RST(9)：复位 输入。 在振荡器运行时，有两个机器周期（ 24 个振荡周期）以上的高电平出现在此引脚时，将使单片机复位，只要这个脚保持高电平， 51 芯片便循环复位。 复位后 口均置 1，引脚表现为高电平，程序计数器和特殊功能寄存器 SFR 全部清零。 当复位脚由高电平变为低电平时，芯片为 ROM 的00H 处开始运行程序。 复位操作不会对内部 RAM 有所影响。 ALE/ PROG (30)：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。 在 FLASH 编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。 在平时 ， ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的 1/6。 因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。 然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个 ALE 脉冲。 如想禁止 ALE 的输出可在 SFR8EH 地址上置 0。 此时， ALE 只有在执行 MOVX， MOVC 指令是 ALE 才起作用。 另外，该引脚被略微拉高。 如果微处理器在外部执行状态 ALE 禁止，置位无效。 PSEN (29)：外部程序存储器的选通信号。 在由外部程序存储器取指令期间，每个机器周期两次 PSEN 有效。 但在访问外部数据存储器时，这两次有效的PSEN 信号将不出现。 EA/VPP(31) ：当 __EA保持低电平时，则在此期间外部程序存储器（ 0000HFFFFH），不管是否有内部程序存储器。 注意加密方式 1 时， __EA将内部 本科生课程设计（论文） 7 锁定为 RESET；当 __EA端保持高电平时，此间内部程序存储器。 在 FLASH 编程期间，此引脚也用于施加 12V 编程电源（ VPP）。 XTAL1(19)：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。 XTAL2(18)：来自反向振荡器的输出。 其引脚图如图 所示。 表 端口引脚兼用功能表 图 AT89C51 引脚图 端口引脚 第二功能 RXD(串行输入口 ) TXD（串行输出口） 0INT （外中断 0） 1INT （外中断 1） T0(定时、计数 0) T1（定时、计数 1） WR （外部数据存储器写选通） RD（外部数据存储器读选通） 本科生课程设计（论文） 8 时钟电路设计 单片机的时钟信号用来提供单片机片内各种微操作的时间基准，复位操作则使单片机的片内电路初始化，使单片机从一种确定的初态开始运行。 时钟电路 89C51 单片机的时钟信号通常用两种电路形式得到：内部振荡方式和外部振荡方式。 在引脚 XTAL1 和 XTAL2 外接晶体振荡器 (简称晶振 )或陶瓷谐振器，就构成了内部振荡方式。 由于单片机内部有一个高增益反相放大器，当外接晶振后，就构成了自激振荡器并产生振荡时钟脉冲。 内部振荡方式的外部电路如图 31 所示。 图 31中，电容器 Cl， C2起稳定振荡频率、快速起振的作用，其电容值一般在 530pF。 晶振频率的典型值为 12MHz，采用 6MHz的情况也比较多。 内部振荡方式所得的时钟情号比较稳定，实用电路中使用较多。 图 时钟电路 复位电路设计 复位电路电路图如图 所示 当 89C51 单片 机的复位引脚 RST(全称 RESET)出现 2 个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。 如果 RST 持续为高电平，单片机就处于循环复位状态。 根据应用的要求，复位操作通常有两种基本形式：上电复位和上电或开关复位。 上电复位要求接通电源后，自动实现复位操作。 89c51 X1 X2 C1 C2 GND 本科生课程设计（论文） 9 常用的上电复位电路电容 C1 和电阻 R1 对电源 +5V 来说 [20]构成微分电路。 上电后，保持 RST 一段高电平时间，由于单片机内的等效电阻的作用，不用图中电阻 R1，也能达到上电复位的操作功能，如图 所示。 图 复位电路电路图 开关复位要求电源接通后，单片机自动复位，并且在单片机运行期间，用开关操作也能使单片机复位常用的上电或开关复位电路。 上电后，由于电容 C3 的充电和反相门的作用，使 RESET 持续一段时间的高电平。 当单片机已在运行当中时，按下复位键 K 后松开，也能使 RESET 为一段时间的高电平，从而实现上电或开关复位的操作。 锁存控制电路 其锁存功能利用 74LS373 来实现，其功能表如表 所示，引脚图如图 所示 10181。 F +5V RET 1K 图 74LS373 引脚图 本科生课程设计（论。