arm

图 三 7 电感测试电路 电阻 、 电容 、 电感测试仪的软件设计 KEY1 C 测量程序的选择 KEY2 R 测量程序的选择 14 KEY3 L 测量程序的选择 主程序流程图 在电阻、电容、电感测试仪的设计中，便于直观性，在数码管上显示被测参数的选择，被测参数各个灯的选择以及具体设置。 通过三个按键 KEY1， KEY2，来进行灵活控制，具体操作如下： 首先插入被测元件，用 ARM

的文件不作任何变动，编译器从其后开始继续 处理。 AREA Init, CODE, READONLY GET C:\。 通知编译器此处插入源文件 C:\ INCBIN。 通知编译器此处插入数据文件 INCBIN C:\。 通知编译器此处插入目标文件 C:\ …… END 编写汇编源程序时，常将一个源文件专门用于定义 宏指令（ MICRO）、 符号常量 （ EQU）， 结构化数据类型 （

C2440 开发板简介 这里所用的 S3C2440 嵌入式系统开发板功能比较强大 ,配备了完备的硬件资源和开发软件 ,开发板的结构如图 所示。 图 开发板结构图 S3C2440A 是韩国三星公司推出的 16/32 位 RISC 微控制器 ,其 CPU 采 用的是 ARM920T 内核。 电源电路实现了 5v 直流输入到 、 、 输出转换的功能 ,为板上各功能模组的正常工作提供所需电压。

tack pointer, sp) and r14 (the link register, lr) o 相应的 r15 ( the program counter, pc) o 相应的 CPSR(current program status register, cpsr) – 特权模式 (除 system模式 ) 还可以存取； o 相应的 spsr (saved program status

 完整的内存管理单元（ mmu）， 支持虚拟地址和存储器保护  写缓冲 ARM720T 同 ARM710T， 但支持 WinCE ARM740T 8K 统一的 cache 内存管理单元 写缓冲 ARM7TDMI 内核 地址 地址 数据读 AMBA 接口 写 缓冲 MMU 数据写 数据 ARM7xxT 控制 逻辑 Cache AMBA 总线 接口 JTAG 和非 AMBA 信号 CP15 18

0P 131P 132P 133P 134P 136P 137P 35P 36L P C 2210C?A01A12A23A34A45CE6I / O 07I / O 18I / O 29I / O 310V c c11V s s12I / O 413I / O 514I / O 615I / O 716WE17A518A619A720A821A922A 1023A 1124A 1225A

项目中  Build 并执行 16 TM 16 ARM及 Thumb指令集 乘法  语法：  MUL{cond}{S} Rd, Rm, Rs Rd = Rm * Rs  MLA{cond}{S} Rd,Rm,Rs,Rn Rd = (Rm * Rs) + Rn  [U|S]MULL{cond}{S} RdLo, RdHi, Rm, Rs RdHi,RdLo := Rm*Rs 

define COL1 (117) // COL1 连接 define COL2 (118) // COL2 连接 define COL3 (119) // COL3 连接 define COL4 (120) // COL4 连接 define start (114) // 开始抢答按钮 define reset (115) // 复位按钮 define smgA1 (10) //

NVIC_Init(amp。 NVIC_InitStructure)。 } /* * 函数名： GPIO_Configuration * 描述 ：配置 GPIO * 输入 ：无 * 输出 ：无 * 调用 ：外部调用 */ void GPIO_Configuration(void) { /*定义一个 GPIO_InitTypeDef 类型的结构体 */ GPIO_InitTypeDef

，采用 5V 单电源供电，并提供 8 位或 16 位并行口和一个串行口。 AD7663 具有分辨率高、采样速率高、功耗小等优点，在高速高精度的数据采集系统中得到了广泛的应用。 A D 8 0 2 1A D R 4 2 1A D 7 6 6 3 D [ 0 1 5 ] / C N V S T B U S Y / C S / R D R E S E TS 3 C 4 4 B 0 X D A T A