衬底
碳化硅涂层碳化硅衬底碳化硅薄膜生产工艺
30402750069]一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法 [A2730405480070]一种碳化硅泡沫陶瓷太阳能空气吸热器 [A2730404680071]减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷 [A2730403170072]在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法 [A2730400400073]电沉积金 碳化硅复合镀层 [A2730401630074]一种制备碳化硅多孔陶瓷管的方法
氮化镓衬底及其生产技术
CVD 技术 自二十世纪六十年代首先提出以来，经过七十至八十年代的发展，九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。 目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。 日本科学家 Nakamura 将 MOCVD 应用氮化镓材料制备，利用他自己研制的 MOCVD 设备(一种非常特殊的反应室结构 )，于 1994 年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管， 1998
蓝宝石晶体生长、衬底加工及相关设备制造项目可行性报告(编辑修改稿)
Orientation Towards Primary Flat 0176。 177。 176。 Wafer Diameter mm 177。 Thickness 432m 177。 25m Orientation Flat mm 177。 Orientation Flat Location Aaxis 177。 176。 Front Surface Surface Roughness (Ra)