定时
OV SECOND,00H NEX: LJMP DISP NEXT: LJMP WAIT TABLE: DB 3FH,06H,5BH,4FH,66H,6DH,7DH,07H,7FH,6FH END 7． C语言源程序（查询法） include unsigned char code dispcode[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f, 0x66,0x6d,0x7d,0x07, 0x7f
时标寄存器可被程序读写。 UIP 位为只读位。 9 （ B） DV0、 DV DV2： RTC（即芯片内部的振荡器）的控制位。 另一个更新周期在 500ms 后开始的条件有两个： 1芯片解除复位状态； 2将 010 写入 DV0、 DV DV2。 所以， DV0、 DV DV2 可以在程序初始化时让芯片在设定的时间开始工作。 值得注意的是， DS12887 内部的晶体一定是 32768HZ
MA控制器与定时 /计数器及 SICL DMA1 EQU 0C0H ；第 1片 DMA通道端口 DAM08 EUQ 08 ；第 0片 DMA命令寄存器地址 DMA18 EUQ 0D0H ；第 1片 DMA命令寄存器地址 D— SET PROC NEAR ； DMA 初始化过程 PUSH CX ；保存 CX寄存器 CLI ；关中断 OUT DMA+12 ， AL ；清除先 /后触发器 JMP
ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。 在 FLASH 编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。 在平时， ALE 端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的 1/6。 因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。 然而要注意的是：每当用作外部数据存储器 时，将跳过一个 ALE 脉冲。 如想禁止 ALE 的输出可在 SFR8EH 地址上置 0。
汉科技大学计算机学院 80C51 P0 WR 地址译码信号 D CK G Q 外设 8位 8位 74LS377 G CK D Q 1 X X X 0 X 0 1 0 0 Q0 1 0 Q0 74LS377真值表 武汉科技大学计算机学院 3. 用串行口扩展 I/O口 当 MCS51单片机串行口工作在方式 0时 ， 使用移位寄存器芯片可以扩展一个或多个 8位并行 I/O口。 这种方法不会占用片外
数 是单片机振荡周期 TCLK的 12倍； TC为定时器的定时初值。 返回本节 中断系统结构及管理 中断请求与控制 中断系统的结构 中断控制 中断响应过程 返回本章首页 中断请求与控制 图57 中断流程 返回本节 中断系统的结构 1． 外部中断源 由 ， 低电平或下降沿引起。 由 ， 低电平或下降沿引起。 2． 内部中断源 （ 如图 58所示 ） T0： 定时 /计数器
MOV C, JC L2 STOP1: MOV C,。 ＝ 0 时转移 JNC STOP1 LCALL DELAY1。 延时 MOV C, JNC STOP1 MOV 50H,00H LJMP MAIN。 设置闹钟。 SETATIME:LCALL DISPLAY2。 调用 DISPLAY2 显示闹钟 N0: LCALL DISPLAY2 MM2: JB ,N1。 =1 时转移 MOV C, JC
p1 输出缓冲器能驱动 4 个 TTL 逻辑电 平。 对 P1 端口写 “1” 时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入 口使用。 作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（ IIL）。 此外， 和 分别作定时器 /计数器 2 的外部计数输入（ ）和定时器 /计数器 2 的触发输入（ ）。 在 flash 编程和校验时， P1 口接收低 8 位地址字节。 具有第二功能。
出缓冲器可驱动（吸收或输出电流方式） 4个 TTL输入。 对端口写入 1时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位，这时可用作输入口。 P3 做输入口使用时，因为有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输入一个电流（）。 在对 Flash ROM 编程或程序校验时， P3还接收一些控制信号。 P3 口除作为一般 I/O 口外，还有其他一些复用功能，如 表 ： 表 P3口引脚复用功能 引脚号
寄存器的内容），在整个访问期间不会改变。 在对 Flash ROM 编程和程序校验期间， P2 也接收高位地址和一些控制信号。 P3 端口（ ～ ， 10～ 17引脚）： P3 是一个带内部上拉电阻的 8位双向 I/O端口。 P3 的输出缓冲器可驱动（吸收或输出电流方式） 4个 TTL输入。 对端口写入 1时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位，这时可用作输入口。 P3 做输入口使用时