二极管

会启动天量照明市场的发展 ，这又反过来促进衬底的广泛使用，所以，LED 衬底 市场 前景非常远大。 投资的必要性 项目综合利润情况 年净利润 7315 万元，平均毛利率 % 项目对提高公司综合竞争力的贡献 提高集团的高科技形象，提升集团品牌价值； 丰富集团的节能产品和优化集团产品结构 项目对现有业务的协同效应 与集团现有业务关联性较小，但未来该项目下游产品（ LED） +太阳能电池 +储能装置

316 % 5 夏普 Sharp 281 % 6 Cree 268 % 7 Stanley 255 % 8 台湾光宝LiteOn 228 % 9 Vishay 211 % 10 日本罗姆Rohm 200 % 资料来源： iSuppli Japan，中投证券研究所 发光二极管（ LED）行业深度研究报告 第 22 页 共 65 页 （ 五 ）全球 LED 专利竞争 市场的不断扩大，国际上相当重视

LED 芯片按发光强度分为普通亮度 LED、高亮度 LED 和超高亮度 LED，发光强度 10mcd 为普通亮度，10mcd～ 100mcd 间的为高亮度，达到或超过 100mcd 15 的称超高亮度。 普通亮度主要用于指示灯；高亮度用于特殊照明；而超高亮度则可以进一步用于通用照明。 图表 4 LED的 应用领域（按发光强度分） 分类 发光强度 用途 具体应用 普通亮度 ＜ 100mcd 指示灯

系统设计 设计的整体思想 由于 本设计要进行需要比较高的精准度，所以需要比较高的抗干扰能力以免在进行 DA转换等较高精度转换时出现不必要的错误，所以抗干扰电路和滤波电路在本电路中较为常见。 主要的设计思路是通过 tlv5616进行 DA转换输出模拟电压，输入到相应的V/I转换电路进行电压电流转换，得到的模拟电流通过二极管两端得到二极管两端的电压再经过放大电路的放大并最终输入到单片机内部的

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到不同的 VBE 和 IB。 由图可见： （ 1） 当 V CE ≥ 1 V 时 ， 特性曲线基本重合。 （ 2） 当 VBE 很小时 ， IB 等于零 ， 三极管处于截止状态。 半导体三极管 （ 4） 三极管导通后 ， VBE 基本不变。 硅管约为 V ， 锗管 约为 V ， 称为三极管的导通电压。 （ 5） VBE 与 IB 成非线性关系。 （ 3） 当 VBE 大于门槛电压 （ 硅管约 V

项目下游产品（ LED） +太阳能电池+储能装置，可能会结合形成蓝海产品 19 扩大产能，提高市场占有率 该项目可以增加蓝宝石衬底的供给，一定程度缓解 LED行业的需求和瓶颈 采用新技术、新 工艺、节约资（能）源、减少环境污染，提高劳动生产率情况 采用世界最新工艺技术（泡生法 长晶技术 ）和 目前国际上最好的 设备， 以4 英寸产品技术为主，走高 质量 路线 ，提升劳动生产率及产能利用率。

为 N型半导体，另一端掺入受主杂质，成为 P型半导体，这两种杂质半导体紧密的接触在一起，在接触处保持晶格的连续性，在接触面便形成了一个 PN结。 PN结的势垒，在室温下，每一个受主杂质产生一个空穴，同时形成一个负离子；而每一个施主杂质将产生一个自由电子，同时形成+4 +4 +4 价电子 +4 +5 +4 自由电子 +4 +4 +4 +4 4 +4 价电子 空位 +4 +3 +4 受主杂质 +4

使得相应的一小部分入射光线溢出腔， Q 值就会变得不高。 粒子汇聚，高能级上会越来越多。 换能器关闭，谐振腔约 Q 值恢复到之前的水平，得到激光输出。 这种调制方式有许多优点，最重要的是，能量等损耗很低。 但是也会有一些其他的干扰因素，例如在传播中，声波在介质中，速度会降低，所以，应用条件也会有限制，应用最多的方面在低增益介质的连续抽运激光器的重复调 Q。 通过带有压电换能器的激光 器

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