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fesem-6700f中文操作手冊
來。 5 二次電子為入射一次電子進入試件後，從試件表面 50～ 500A176。 深度之層內所激發產生的電子（如圖 311 所示），能量約在 0～ 50eV之間。 二次電子的激發量隨入射電子能量之增加而增加，但達到一定值之後會再度遞減，主要原因是隨入射電子能量之增加，電子穿透之深度加大，所生成之二次電子由於逸出表面之路徑增長，不易到達試件之表面，故而其激發量漸減。 二次電子屬於低能量電子