光刻
第三章光刻工艺技术
表面进行宏观检查，然后送去刻蚀。 光刻技术的发展 在摩尔定律的推动下，半导体技术以每 23 年一个新技术代的速度向前发展，半导体产业的不断发展极大地依赖于光刻技术的发展。 以光学成像原理为指导，不断提高光刻分辨率，控制生产成本（ CoO），从而满足产业发展需求为目标，半导体光刻技术历经了巨大的发展。 从初期的 g 线（ 436nm）、 h 线（ 406nm）光刻机到 目前主流的 i 线（
光刻工艺论文
光刻胶在干燥避光的环境中静置数天，使固体微粒自然沉降而除去，得到均匀，澄清的光刻胶供光刻工艺使用。 167。 2 光刻工艺过程 在平面管和集成电路生产中，都要经过多次光刻。 虽然各次光刻的目的要求和工艺条件有所差别，但其工艺过程是基本相同的。 光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘，暴光，显影，坚膜，腐蚀和去胶等七个步骤 1．涂胶 涂胶就是在 SIO2 或其他薄膜表面，涂布一层粘附良好，厚度适当