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管上的功耗大线性电源的效率低，通常只能达到 30%∽ 60%。 12 开关电源 在电力电子装置中一般都由电力电子器件组成的桥路作为主回路，要求多路独立的直流电源，如采用线性电源，整个装置的体积、重量非常大，那就需要体积小的可靠电源于是引进了直流开关稳压电源。 开关稳压电源也是电力电子技术的主要应用领域之一，采用的主要电压变换电路是直直换流器或其派生电路，电路中的主调节元件作为开关使用

误 !未找到引用源。 到 10％ 错误 !未找到引用源。 所需的时间， 错误 !未找到引用源。 定义为 错误 !未找到引用源。 错误 !未找到引用源。 从 10％ 错误 !未找到引用源。 上升至 90％ 错误 !未找到引用源。 所需要的时间，如图。 图 IGBT 的开关特性 IGBT 的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态的过程。 关断时间错误 !未找到引用源。 定义为从驱动电压 错误

6 常用 IGBT 的电气符号 图 7 IGBT 的等效电路 图 6为 IGBT 的常用电气符号， IGBT 的等效电路如图 7所示，由图可知，若在 IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间加上驱动正电压，则 MOSFET 导通，这样 PNP晶体管的集电极 C 与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为 0V，则 MOS 截止，切断 PNP 晶体管基极电流的供给

足部分要求，有些是逐步向这个方向发展，达到完善的要求 ，特别是中（高）压变频器更需要耐压高的元器件。 模块选择分析 相关定义及公式 我们以设计一台中压变频器为例，直流工作电压为 3600V。 设电机功率因数为 ，载波频率为 3kHz，输出频率为 50Hz，采用下列公式分别用不同功率开关器件构成变频器的一个开关组件的指标进行估算。 以400A 的峰值电流 Icp 计算，采用下列估算公式 稳定功耗

注意，在压入过程中，印刷电路板的放置区不压板的压力区必须相互平行。 应当采用机械方法，将压板固定就位。 应当通过等速运动，将模块压入印刷电路板中。 压入过程中，模块引脚应当插入印刷电路板，直至模块外壳的承力面接触到 PCB 电路板。 为了在压入过程结束时限制力度，可以在压入工具的上半部加装弹簧。 可以根据引脚数量和相应的最小压入力度，调节压入工具的弹簧加载力度。 有时候可能丌需要弹簧

同 的 电 路 来 完 成。 这 种 驱 动 方 式 既 提 高 了 逆 变 器 的 性 能 ， 又 提 高 了 IGBT的 工 作 效 率 ， 使 IGBT更 好 地 在 安 全 工 作 区 工 作。 这 类 芯 片 有 富 士 公 司 的 EXB8..Series、 夏 普 公 司 的 PC929等。 在 这 里 ， 我 们 主 要 针 对 EXB8..Series做 一 介 绍。 EXB8

UGE= 10 V 的 UCE小 ,一 12 般而言 , UGE越大 , UCE越 小 ,通态功耗越小 ,所以一般希望有较高的栅极电压以提高变换器的整机效率。 但是 ,过高的栅极电压将对集电极电流 IC产生明显影响 , UGE增加 , IC电流增加 ,如图 6 所示 ,当栅极电压超过门限电压后 ,集电极电流 IC 随栅极电压 U GE的增加而急剧上升 ,当外电路发生严重过流或短路时

管模块脱开电路后（或为新购进的模块），可采用测量场效应管子（ MOSFET） 方法来测试了。 MOSFET 的栅阴极间有一个结 电容的存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。 可利用此一特点有效地检测 IGBT 管子的好坏。 方法是：将指针式万用表打到 x10k 档，黑表接 C 极，红表笔接 E 极，此时所测量电阻值近乎无穷大；搭好表笔不动，用手指将 C极与 G极碰一下并拿开

，必须注意将装置的过电流跳闸水平设定在该限制值以下。 当 RG为标准门极电阻值 （ Tj=250℃ )时，电流限制最小值为额定电流值的 2倍左右。 根据以上条件 ，选定最适合的门极驱动条件。 IGBT 具有 MOS门极构造，在交换时为了对该门极进行充放电，需要门极电流 (驱动电流 )从中流过。 图 1 表示门极充电电荷量的特性。 门极充电电荷量特性表 示驱动 IGBT 所必要的电荷量

相交流电源经降压变压器降压输出的交流电，再经感容滤波单相桥式全控整流电路整流，整流后的脉动直流电经 RC 滤波后，再由升降压斩波电路调压后控制直流电动机的运行。 采用双闭环直流可逆脉冲调速系统。 IGBT 绝缘栅双极晶体管作为斩波电路的组成元件。 同时这次课程设计应用到 MATLAB 软件，设计时借助 MATLAB 软件进行系统模型仿真，进一步熟悉了 MATLAB 语言及其应用