igbt

承受电流大等特点，已成为当今功率半导体器件发展的主流器件。 自二十世纪八十年代初期研制成功以来，其工艺技术和参数不断改进和提高， IGBT 已由第三 代、第四代发展到了第五代，由穿通型（ PT 型）发展到非穿通型（ NPT 型），其电性能参数日趋完善。 IGBT 模块也在此基础上同步发展，有单管模块、半桥模块、高端模块、低端模块、 6 单元模块等。 合理的驱动保护是 IGBT 安全工作的前提条件

分场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 6. 驱动电路设计 严格地说，能否充分利用器件的性能，关键取决於驱动电路的设计。 此外，也与保护电路设计密切相关。 要使器件处 於开通状态时，驱动电路应为正向偏置，关断状态时，应为反向偏置，根据各自的设定条件，可以改变器件的特性。 此处由於驱动电路的接线方法不同，器件有可能产生误动作。 7. 并联问题

开通及关延时，同时要保证当 IGBT 损坏时驱动电路中的其他元件不会被损坏。 2. 能向 IGBT 提供适当的正向和反向栅压，一般取 +15 V左右的正向栅 压比较恰当，取 5V反向栅压能让 IGBT 可靠截止。 3. 具有栅压限幅电路，保护栅极不被击穿。 IGBT 栅极极限电压一般为土 20 V，驱动信号超出此范围可能破坏栅极。 4. 当 IGBT 处于负载短路或过流状态时，能在 IGBT

的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。 当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。 因为IGBT 栅极 发射极 阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行触发，不过由于 IGBT的输入电容较 MOSFET 为大，故 IGBT 的关断偏压应该比许多 MOSFET

amp。 mu。 m。 关于不同功率的模块散热器面积的计算，请参阅有关的设计资料。 参数的合理选择参数 的选择一条原则是适当留有余地，这样才能确保长期、可靠、安全地运行。 工作电压 amp。 le。 50%60%，结温 amp。 le。 7080%在这条件下器件是最安全的。 制约因素A、在关断或过载条件下， IC 要处于安全工作区，即小于 2 倍的额定电流值； B、 IGBT 峰值电流是根据

图焊接成电路板，在焊接的时候不断调试，改进一定的参数，最后验证相应的功能。 研究方法 本项目将研制出适用于各类 IGBT 的驱动电路及其典型的应用电路。 在研制过程中，采取实验测试和调试的方法。 首先建立 IGBT 电学特性分析模型，根据对电特性的分析，设计出满足要 求，即有过热、过流、欠压、过流检测等功能的智能化驱动电路，再进行电路焊接，并通过电路板实际测试和调试，达到所需的要求。 6 第 2

ineon: KS4, KT4,DN2系列 KS4: FF100R12KS4\FF150R12KS4\FF200R12KS4\FF300R12KS4 KT4: FF200R12KT4\FF300R12KT4\FF450R12KT4 DN2: BSM50/75/100/150/200GB120DN2/BSM100GB120DN2K 三菱 : H系列 ,A系列 ,NFM系列 H系列 :

IGBT 组成的、用于交流电动机变频调速 的高压变频器，采用 “ 功率单元 ” 串接的新型结构，即用多个低压的脉宽调制（ PWM）逆变器作功率单元，将它们按多重化格式组成高压变频器，能较好地解决这几个问题。 3IGBT高压变频器 图 1（ a） ,(b)是一台 6000V变频器的主电路拓朴和连接图。 每相由 5 个额定电压为 690V 的功率单元 串联，因此相电压为 5690V=3450V