mcs

不等宽的，宽度按照正弦规律变化，故输出电压的波形接近正弦波。 单极性调制与双极性调制 根据调制脉冲的极型， PWM 可分为单极性调制与双极性调制两大类，如图所示：当正弦波的正半周 时，如果正弦波的幅值大于三角波的幅值时，比较器输出正电平，如果正弦波小于三角波幅值时，比较器输出 0 电平。 当在正弦波的负半周时，如果正弦波幅值大于三角波时，输出为负电平。 正弦波幅值小于三角波时则输出 0 电平。

地址总线 （ AB） ：地址总线宽度为 16位 ，由 P0口经地址锁存器提供低 8位地址 （ A0A7） ；P2口直接提供高 8位地址 （ A8～ A15）。 地址信号是由 CPU发出的 ， 故地址总线是单方向的。 （ 2） 数据总线 （ DB） ：数据总线宽度为 8位 ，用于传送数据和指令 ， 由 P0口提供。 （ 3）控制总线（ CB）：控制总线随时掌握各种部件的状态

DPTR作为基址寄存器， A的内容作为无符号数和 DPTR的内容相加得到一个 16位的地址，把由该地址指出的程序存储器单元的内容送到累加器 A. 例如 (DPTR)=8100H (A)=40H 执行指令 MOVC A,@A+DPTR 本指令的执行结果只和指针 DPTR及累加器 A的内容有关 ， 与该指令存放的地址及常数表格存放的地址无关 ， 因此表格的大小和位置可以在 64K程序存储器中任意安排

SMOD＝ 0，波特率不会提高。 MCS－ 51单片机 的串行口 波特率选择位 P C O N SM O D － － － G F 1 G F 0 PD I D LD7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0单元地址： 87H19 （一）串行口工作方式 0 在 方式 0时，串行口作为 同步移位寄存器 使用； RXD作为移位寄存器的出口和入口， TXD提供移位时钟脉冲，频率为振荡器频率的 1/12

┆ 1 1 0 0 0 0 0 0 |VREF|/2 |VREF|/2 ┆ ┆ ┆ 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 ┆ ┆ ┆ 0 1 1 1 1 1 1 1 LSB LSB ┆ ┆ ┆ 0 0 1 1 1 1 1 1 |VREF|/2LSB |VREF|/2+LSB ┆ ┆ ┆ 0 0 0 0 0 0 0 0 |VREF| |VREF| 表 91 双极性输出电压与输入数字量的关系 图

读 ROM新的地址； P0. 0 P1. 0 P2. 0 P3. 0 4个 8位并行 I/O口： P0， P1， P2， P3； 均可作为双向 I/O端口使用。 (1)特点： P0： 访问片外扩展存储器时， 复用为低 8位地址线和数据线 ※ 用作输入时，均须先写入 “ 1” ； 用作输出时， P0口应外接上拉电阻。 P2： 高 8位地址线。 P1： 双向 I/O端口 P3： 第二功能 1 2

外部中断 0中断优先级控制位 1： 高优先级中断； 0： 低优先级中断。 由软件可改变各中断源的中断优先级。 MCS51的中断系统 有 两个 不可寻址的 “ 优先级激活触发器 ” : 一个 用来指示某高优先级的中断正在执行，所有后来的中断均被阻止。 另一个 用来指示某低优先级的中断正在执行，所有同级中断都被阻止，但不阻断高优先级的中断请求。 在同时收到 几个同一优先级的中断请求 时，

64A EEPROM扩展电路 返回本节 数据存储器扩展 静态 RAM扩展电路 动态 RAM扩展电路 返回本章首页 静态 RAM扩展电路 常用的静态 RAM芯片有 6116， 6264， 62256等 ， 其管脚配置如图 613所示。 1． 6264静态 RAM扩展 表 61给出了 6264的操作方式 ， 图 614为 6264静态RAM扩展电路。 2． 62256静态 RAM扩展 62256是

06H1FH27H 2FH37H 3FH3EH3DH3CH3BH39H38H30H28H00H01H 09H 11H 19H 21H0EH 16H 1EH 26H 2EH 36H05H04H03H02H08H0AH0BH0CH0DH10H 18H1AH1BH1CH1DH20H22H23H24H25H29H2AH2BH2CH2DH12H13H14H15H31H32H33H34H35HYY Y Y

靠工作。 若： IOH =15mA, IOL=24 mA, IIH= mA和 IIL= mA，求得 N1=150和 N2=120。 因此，驱动器的实际驱动能力应为 120个同类门。 （ 2）交流负载下驱动能力的估算 总线上传送的数据是脉冲型信号，在同类门负载为容性（分布电容造成）时，就必须考虑电容的影响。 若： CP为驱动器的最大驱动电容， Ci（i=1,2,… ,N）为每个同类门的分布电容。