瑞萨杯
瑞萨杯20xx电子设计竞赛设计报告(编辑修改稿)
1vout，其中 inv =24v 为了使电流连续并获得较好的效果， boost 电路的参数选取如下： L1=700uH,C2=330vF 驱动模块 驱动 MOSFET 电压需要 15v 左右，而 主控芯片 的输出电压 达不到， 为了能成功驱动 MOSFET 需要加装驱动电路来对输出 电压进行放大。 由于集成芯片的性能良好，设计更加优良，而且有输入输出隔离比较适合使用， 综合考虑选用 A3120