三极管
常用三极管的各种参数型号(规格) M/压 ) 电流 ) 功率 )90110 30000 250 255 505 500 25005 50005 85505 260 2560 250 5 20 5050 520 20 20 5 20 000 .2
111D31Q22D42Q53D73Q64D84Q95D135Q126D146Q157D177Q168D188Q19U 5 017 4L S 3 73P 2. 0P 2. 1P 2. 2A L EIN T 0V C CV C CR 5 00IN 0C 5 051 04C 5 031 04C 5 041 041234567J 50 3C O N 73 12J 50 4C O N 2R 5 061
iU CCR BC 2信号源T图 基本共发射极交流放大电路 模拟电子技术基础 基极偏置电阻 RB—— 基极电源 UBB经 RB把电压加在 集电极负载电阻 RC—— 电源 UCC经 RC把电压加在 以共发电路为例，图 ： 晶体管 T—— 在交流信号激励下，把直流电源 UCC 的能量转化为输出交流电压。 集电极上，保证 CB结反偏；同时 RC还将集电极电流的变化转化为电压的变化。 基极上，保证
列，并读回计算机。 在设计中，我们对 A/D的转换速度、精度和器件成本作了最好的折中，选用了 8位 A/D转换器 ADC0809。 ADC0809是八位 A／ D转换器。 每采集一次一般需 100μ S， A／ D转换结束后会自动产生EOC信号。 ADC0809在实验系统中的电路 ADC0809 在实验平台中的电路如图所示。 ADC0809 输入通道的控制是由单片机的 ， 和 完成，跳线
部结构示意图 图 三极管的内部机构以及符号（左边为 NPN 型，右边卫 PNP 型） 第二章 .晶体管的制 造工艺 扩散型晶体管 在高温的 P 型杂质气体中， 而 加热 N 型 Ge 或者 Si 的单晶片， 从而 使得单晶片的一面变成 P 型，应用 此种方法制成的 PN 结。 因为 PN 结正向电 压的 压降 比较 小，所以 应用 于大电流整流。 最近 一段 的时候 间内
电压量同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值 oU ，只有相应的一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平； （ 4）对比较器输出的高电平进行二进制编码； （ 5）经显示译码器译码； （ 6）驱动数码管显示出相应的档次代号。 、模块结构与方框图 转换电路 比较电路 基准电压 译码 显示 编码 8 第三部分 电路设计与器件选择 、转换电路： 模块电路及参数计算：
看出，这种电路包含两个回路：一为基极 — 发射极回路，又叫输入回路；另一为集电极 — 发射极回路，又叫输出回路。 发射极为两个回路的公共点，故称为 “ 共发射极放大回路 ”。 （ 3）晶体三极管的主要参数 晶体管的参数是用来说明其性能和适用范围的，选用晶体管时要以此为依据，主要参数有： RC 和 RL 电路的暂态过程 一、内容提要： 本讲主要讲的
红外线技术是限定使用空间的。 在红外不传输的过程中，遇到不透光的材料，如墙面。 它就会反射，这一特点，确定了每套设备之间，可以在不同的物理空间里使用。 ，安全特性高：红外线利用光传输数据的这一特点确定了它不存在无线频道资源的占用性，且安全性特别高。 在限定的空间内使用进行窃听数据可不是一件容易的事。 2 ，通用性。 因为采用了光传输，且限定物理使用空间。 红外线发射和接收设备在同一频率的条件下
特性曲线第二根特性曲线YXGCS 〔 三〕 小电流放大倍数 XJ4810晶体管特性图示仪，将各个开关设置在如下 档位 : 峰值电压： AC 丶 输出电压： 10V、 极性：正、 Y 轴： 、 X 轴： /div） 功耗限制电阻：25
规定见图 1。 ，标识清晰，封装表面光洁， 引脚光亮，无氧化现象，可焊性好。 〔二〕耐压 BVCE0 QT2 晶体管特性图示仪，将各个开关设置在如下档位 : 输出电压： 50V、 Y 轴： 10uA/div、 X 轴： 10V/div、 功耗限制电阻： 50KΩ、 输入键：零电流、 作用键：正常。 0 点，三极管脚按型号插入 e、 b、 c 孔，调节输出电压旋钮，读取座标曲线在