砷化镓
砷化镓与硅半导体制造工艺的差异分析
熔点较高的金属如钨金属等 ,而电子 束蒸镀则较不易镀高熔点的金属 . 离子布植技术 砷化镓 IC 制造工艺中离子布植 亦是极重要的一环 ,在器件间绝缘 (isolation)方面 ,砷化镓是使用离子 布植的方式打人氦离子等 ,使砷化镓 材料电阻值变大 ,达到器件间绝缘效 果 .而硅制造工艺并不是利用离子布 植的方式绝缘 ,而是用挖沟槽的方 式 ,在洞内成长绝缘介质材料造成绝 缘的效果