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图 1 界面反应动力学曲线 [5] [5] 易形成缺 陷 ， 当反应层厚度大于临界值 时 ， 材料的性能 会降 低 ， 不同反应体系的临界厚度不 同 [3] ； 界面结合力 大小直接影响材料破坏形 式 ， 根据结合力的大 小 ， 将界 面分为弱界面结合和强界面结 合 ， 弱界面结合虽然有利 于提高轴向性 能 ， 但是横向性能也较 低 ， 成为限 制 S iCf / Ti 复合材料应用的一个因素

的耦合作用被弄清楚，微波加热合成粉末体技术也日趋成熟。 戴长虹等以自制的树脂热解碳和高纯的 SiO2纳米粉作为原料，用微波炉做热源，在较低温度、极短时间内得到粒度在 5080nm、纯度高达 98％ 的 SiC 粉。 Si 与 C 直接反应法是自蔓延高温合成法（ SHS）的应用，是以外加热源点燃反应物坯体，利用材料在合成过程中放出的化学反应热来自行维持合成过程。 除引燃外无需外部热源，具有耗能少

70 年代发展起来的 ESK 法对古典 Acheson 法进行了改进， 80 年代出现了竖式炉、高温转炉等合成 βSiC 粉的新设备。 90 年代此法得到了进一步的发展。 Ohsaki S 等利用 SiO2 与 Si 粉的混合粉磨受热释放出的 SiO 气体，与活性炭反应制得 βSiC，随着温度的提高及保温时间的延 长，粉末的比表面积随之降低。 Rambo C R 等还报道了以稻壳这一非传统原料为