探测仪

C CU 5 AU 5 BL S 2B U Z Z E RV C CR751KR682KD2L E DV C CV C CY112 M H zC230 P FC330 P FC410 μ FR551KD1L E DV C C+ 5V2Vm1GND3U9L M 78 05 C K+ 9VB T 1+ 9VC 1210 μ FV C CT R I G2Q3R4C V ol t5T H R6D I

和片子表面垂直的磁场 B 时 ，薄片的横向两侧会出现一个电压 UH, 这种现象就是霍尔效应。 产生这种现象 ，是因为在磁场产生的洛仑兹力的作用下通电半导体片中的载流子分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场， 被称为 霍尔电场。 洛仑兹力 与 霍尔电场产生的电场力相反， 电场力 阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。 此时 ，半导体 两侧 产生 一个稳定的电压， 被称为

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cope51使用进行源代码级调试，也可由仿真器使用直接对目标板进行调试，也可以直接写入程序存贮器如 EPROM中。 Keil仿真器时，注意事项 （ 1） 仿真器标配 的晶振，但用户可以在仿真器上的晶振插孔中换插其他频率的晶振。 （ 2） 仿真器上的复位按钮只复位仿真芯片，不复 位目标系统。 （ 3） 仿真芯片的 31脚（ /EA）已接至高电平，所以仿真时只能使用片内 ROM，不能使用片外 ROM