最小

 100C B 110001n010  nA再验证能观性或能控性，以确定是否最小实现。 将 G(s)化写为： 有理分式阵。 其中 均 mp阵 分母多项式为特征多项式。 nnnnnnsssssG11111)(对传递函数阵而言（ p输入 —— m输出系统） nn

最小 ， 这与前面讲的极值问题完全一样 ， 系数 同样满足法方程 ， 只是这里 求解法方程组就可得到 ，从而得到， 称为函数 的最小二 乘拟合。 20 1 1 21( , , , ) [ ( , , , ) ]mn i i n i i liiF a a a y S x x x01, , , na a a1 2 1 21( , ) ( , , , ) ( , , , ) .mk j i

tv1v00250000求得增广链（红线）和所有的 id)0(sv)0(2v )0(3v1)1(tv)1(1v00250000  iddzz itii  ,0m a x利用 0,3,1,0,4 321  zzzzz ts1,4,1,0,5 321  zzzzz ts求出 ]4[sv]3[2v ]0[3v]1,0[]0[tv)1,7(]1[1v)1,8()3

 可知：kZ的特征根为mikii,2,1,  ( 5 ) 并且kZ与kW之间它们的特征向量与 XX  的特征向量相同，与k无关。 ( 6 ) 记：      )()(ˆ)(ˆ)(ˆ kHkkEkM S E        )(ˆ)(ˆ)( kkEkH         

入记号 ))(,),(),((10 mrrr xxx  r01( , , , )mf f ff定义加权内积 (10) 0( , ) ( ) ( )mk j i k i j iixx     0( , ) ( )mk i k i iif x f   ),(),(),(),( 1100 faaa knknkk   nk ,1,0

特殊功能寄存器的内容。 P2口在 FLASH 编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。 P3 口： P3 口管脚是 8个带内部上拉电阻的双向 I/O 口，可接收输出 4 个 TTL门电流。 当 P3 口写入 “1” 后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。 作为输入，由于外部 下拉为低电平， P3口将输出电流（ ILL）这是由于上拉的缘故。 RXD（串行输入口） TXD（串行输出口）

k~ = kd~ 对于 4型 我们选择 k~ = k ，对于 1型    Mh0 ,    kMhk  2 ， Mk1 C L 的确定 L=M 对于 1型 L= 2 12 M 对于 2型 中北大学 2020 届课程设计说明书 第 3 页 共 15 页 L= M1 对于 3型 L= 2 12 M 对于 4型 根据 N与 M的关系 M=

 ，   00000 s in iiiiy YYrYYl i  . ，数字高程模型、 GPS 水准的高程异常拟合模型等，常采用多项式拟合模型。 已知 m 个点的数据是  iii yxZ , （ i=1,2，„„， m），其中 iZ 是点 i 的高程或高程异常（ GPS 水准拟合模型），  ii y,x 为点 i 的坐标，视为无误差，并认为 Z 是坐标的函数

74HC245芯片的总线扩展电路。 问题与思考： (1) 在 51 单片机系统中必须进行总线扩展吗。 在什么情况下进行总线扩展。 都需要用到哪些信号进行扩展。 (2) 51 单片机在进行并行总线扩展时外部设备的数量有什么要求。 如果超出了要求应如何处理。 (3) 简述 51单片机并行总线扩展应如何计算芯片地址。 可以 举例说明。 为单片机编写程序 将上面的焊接和调试

m*，使用800mm*。 七 模型三的建立与求解 模型三的分析该问是在允许使用多种尺寸的地板砖进行混合铺设，实现地板砖的自动铺设，并计算出铺设各种尺寸地板砖的块数、利用率和总费用。 由于各类地板砖的尺寸均不一样，因此我们需要在第二问求解一种地板砖铺设方案的基础上重新设计铺设方案。 问题一给出了普遍情况下地板砖的铺设方案，并得到了800*800的地砖是性价比最高的，因此在重新划分的十三个矩形房间